霍尔效应及磁阻效应讲义.pdf

通过霍尔效应测量磁场

实验简介

在磁场中的载流导体上出现横向电势差的现象是24岁的研究生霍尔（EdwinH.Ha）在1879

年发现的，现在称之为霍尔效应。随着半导体物理学的迅猛发展，霍尔系数和电导率的测量已经成

为研究半导体材料的主要方法之一。通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的

导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。若能测得霍尔系数和电导率随温度变化的关系，

还可以求出半导体材料的杂质电离能和材料的禁带宽度。

在霍尔效应发现约100年后，德国物理学家克利青(KlausvonKlitzing)等研究半导体在极低

温度和强磁场中发现了量子霍尔效应，它不仅可作为一种新型电阻标准，还可以改进一些基本量的

精确测定，是当代凝聚态物理学和磁学令人惊异的进展之一，克利青为此发现获得1985年诺贝尔

物理学奖。其后美籍华裔物理学家崔琦(D.C.Tsui)和施特默在更强磁场下研究量子霍尔效应时发

现了分数量子霍尔效应。它的发现使人们对宏观量子现象的认识更深入一步，他们为此发现获得了

1998年诺贝尔物理学奖。

用霍尔效应之制备的各种传感器，已广泛应用于工业自动化技术、检测技术和信息处理各个方

面。本实验的目的是通过用霍尔元件测量磁场，判断霍尔元件载流子类型，计算载流子的浓度和迁

移速度，以及了解霍尔效应测试中的各种副效应及消除方法。

实验原理

通过霍尔效应测量磁场

霍尔效应装置如图2.3.1-1和图2.3.1-2所示。将一个半导体薄片放在垂直于它的磁场中(B

的方向沿z轴方向)，当沿y方向的电极A、A’上施加电流I时，薄片内定向移动的载流子(设平

均速率为u)受到洛伦兹力F的作用，

B

F=quB(1)

B

无论载流子是负电荷还是正电荷，F的方向均沿着x方向，在磁力的作用下，载流子发生偏

B

移，产生电荷积累，从而在薄片B、B’两侧产生一个电位差V’,形成一个电场E。电场使载流子

BB

又受到一个与F方向相反的电场力F，

BE

F＝qE=qV/b(2)

EBB’

其中b为薄片宽度，F随着电荷累积而增大，当达到稳定状态时F＝F，即

EEB

quB=qV/b(3)

BB’

这时在B、B’两侧建立的电场称为霍尔电场，相应的电压称为霍尔电压，电极B、B’称为霍

尔电极。

另一方面，射载流子浓度为n,薄片厚度为d,则电流强度I与的关系为：

Ibdnqu(4)

由(3)和(4)可得到

1IB

V(5)

BBnqd

1

令R，则

nq