霍尔效应实验中的副效应对测量结果影响的研究毕业论文.pdf

【标题】霍尔效应实验中的副效应对测量结果影响的研究

【作者】梁清清

【关键词】霍尔效应副效应四次平均法误差

【指导老师】孙婷雅

【专业】物理学

【正文】

1绪论

1.1霍尔效应的发展过程

霍尔效应(Halleffect)作为一种磁电效应，这一现象是霍尔(A.H.Hall，1855—1938)于1879

年在研究金属的导电机构时发现的。

1879年，作为美国普多金斯大学研究生的霍尔，在研究载流导体在磁场中的受力性质时，

发现了霍尔效应。当一电流垂直于外磁场方向而流过导体时，在垂直于电流和磁场的方向导

体的两侧会产生一电势差，这种现象称为霍尔效应，而所产生的电势差称为霍尔电压。这时

的霍尔效应称之为经典霍尔效应。

1980年，德国物理学家冯?克利青等多次研究在处于极低温度1.5K和强磁场18T的作用下，

硅的金属-氧化物-半导体效应晶体管(MOSFET)，在二维体系的霍尔效应实验中，发现了一个

与经典霍尔效应完全不同的现象[1](具体情况见参考文献[1])。已经发现100多年并得到多

种应用的霍尔效应，出现了了新的现象，由于这一新现象是一种宏观量子现象(也称宏观量

子效应)，故把这种霍尔效应称为量子霍尔效应。

在冯?克利青因发现量子霍尔效应而获得1985年诺贝尔物理学奖的13年后，又有三位科学

家因发现分数量子霍尔效应而获得1998年诺贝尔物理学奖，他们分别为崔琦、施特默和劳

克林。

1.2霍尔效应的应用

由上一节可以知道，霍尔效应是在霍尔(A.H.Hall，1855—1938)于1879年在研究金属的导

电机构时发现的。

后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现

象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。

因为半导体材料对霍尔效应比较明显，因此现在有各种各样的用半导体材料制成的霍尔元器

件，使得霍尔效应的应用非常广泛。在近代，由于新型半导体材料和低维物理学的发展、新

的极端物理条件(如超低温度和超强磁场等的应用)，使得凝聚态体系(特别是低维凝聚态体

系)中的磁现象研究取得了许多突破性的进展。德国物理学家冯?克利青(VonKlitzing)因发

现量子霍尔效应而荣获1985年度诺贝尔物理学奖；美籍华裔物理学家崔琦(DanielTsui)、

美籍德裔物理学家施特默(H.L.stormer)和美国物理学家劳克林(R.Laughlin)，因发现分数

量子霍尔效应和对其进行的研究，而荣获1998年度诺贝尔物理学奖。

霍尔效应虽然是一种发现、研究和应用都很早的物理效应，但随着物理学的发展和高新技术

的应用，这一效应在新的实验条件下又得到了新的发展。从霍尔效应到(整数)量子霍尔效应

再到分数量子霍尔效应，已经取得了不少新的科研成果。它们对物理学的进一步研究和应用

都起着重要的作用，而其本身研究的发展也具有深远的现实意义。

1.3本文的目的意义和研究内容

霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔电压，能测量出

磁场的大小及分布；也可以通过测量霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓

度及载流子迁移率[2]等重要参数。

霍尔效应是物理学实验中的一个重要实验，各高等院校普遍开设了有关霍尔效应的实验，如

用霍尔元件测量磁场，是大学物理常开设的一个实验。

由于在实验中，往往会伴随副效应的发生，这些效应是霍尔效应测量中系统误差的主要来

源。它们不仅对测量的准确度影响很大，同时，也不利于使学生对霍尔效应有全面的认识和

理解。因此，系统误差的处理成了霍尔效应测量中的一个重要问题，霍尔效应实验中的副效

应对测量结果影响的研究具有很大的现实意义。

本文结合本课题相关文献，通过了解霍尔效应实验的基本原理和利用霍尔效应测量磁场的实

验结果来分析几种副效应的产生和对霍尔效应实验测量结果的影响。由相关文献了解到，关

于霍尔效应实验的系统误差对实验结果影响已经有很深入的研究，本文将系统地专门针对几

种副效应，分析探讨它们对实验测量结果的影响。

2霍尔效应测磁场实验

霍尔效应是物理学实验中的一个重要实验，各高等院校普遍开设了有关霍尔效应的实验，如

用霍尔元件测量磁场，是大学物理常开设的一个实验。

2.1实验目的和意义

1879年霍耳(E.H.Hall，18551938)在研究载流导体在磁场中受力的性质时，发现了电流

通过金属在磁场作用下产生横向电动势的霍耳效应。霍耳效应的应用十分广泛，利用霍耳效

应可以确定半导体材料的基