天津大学813半导体物理与器件-23届模拟测试.pdf

天津大学813半导体物理与器件-23届模拟测试（一）

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一、填空题（32分）

1、使用（）法研究晶体中电子状态的理论称为能带论。

2、对于n型Ge来说，其导带极值位于（）。

3、对于既掺有施主杂质和受主杂质的半导体，两种杂质之间存在的相互抵消的作用，称为

（）。

4、硅中计算浅能级杂质电离能采用（）模型，在计算中对（）和（）进行修正，可

以得到比较满意的定量描述。

5、在简并半导体中，杂质浓度很高，杂质原子相互间就比较靠近，导致杂质原子之间波函

数发生交叠，杂志电子就可能在杂质原子之间产生（），使得孤立的（）扩展为能带，

通常称为杂质能带。

6、载流子（）的平均路程称为平均自由程。

7、半导体中的主要散射机构有（）和（），前者在温度较（）时起主要作用，后者在

温度较（）时起主要作用。其他因素引起的散射包括（）和（）等。

8、制造pn结常用的工艺方法有（）、（）等；分隔p区和n区的交界面称为（）。

9、半导体功函数表示一个起始能量等于（）的电子，由半导体内部逸出到真空中所需要

的最小能量。

10、当金属与p型半导体形成整流接触时，两者功函数需满足（）；对金属端外加正电压，

形成的电流方向为（）。

11、固定表面正电荷将会引起半导体表面层中能带向（）弯曲。因此，要恢复平带情况，

平带点应沿电压轴向（）方向移动一个距离。

12、耗尽型MOSFET指的是（）。

13、影响BJT小信号共基极电流增益的因素有（）、（）、（）。

14、BJT发生雪崩击穿时，基极开路时的击穿电压BVCEO（）发射极开路时的击穿电压

BV。

CBO

15、与小开关晶体管相比，功率晶体管的基区宽度（），电流增益β（），结电容（），

截止频率（）。

二、简答题（88分）

1、从能带的角度简述绝缘体、半导体、导体的特点，并画出示意图

2、简述理想半导体与实际半导体的区别

3、请画出非简并n型半导体费米能级与温度和掺杂浓度之间的关系变化图

4、简述间接复合的四个微观过程并画出示意图

5、简要分析pn结正偏时载流子的运动过程以及电流的形成过程

6、以增强型nmos为例，画出其转移特性曲线和输出特性曲线，并分析其工作原理

7、以npn双极晶体管为例，简述基区宽度调制效应和发射区禁带变窄效应，并分析其影响

8、画出双极晶体管混合π模型的等效电路图，并简述电路中各符号的意义

三、计算与推导题（30分）

10-3

1、在室温（300k）下，若在砷化镓晶体中掺入10cm浓度的硅原子，硅在砷化镓中完全

电离，其中95%的硅原子取代了Ga原子，5%的硅原子取代了As原子。已知室温下，砷化

17-318-3

镓的N和N分别为4.50×10cm和8.17×10cm，禁带宽度E为1.43eV。请计算室温

cvg

下该样品多子和少子浓度，以及费米能级相对本征费米能级的位置

2、假设有一n沟道MOSFET，当VDS50mV时，其跨导gm1.25mA/V。已知阈值电压

V0.3V，试求：

T

（1）当VGS0.8V，VDS50mV时的电流大小

（2）当VGS0.8V，VDS1.5V时的电流大小

3、以一维情况为例，推导电子的爱因斯坦关系式