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7.4只读存储器ROM目的、要求：重点、难点：了解ROM及PROM的内部结构,与阵的译码方式，掌握用ROM实现组合逻辑函数，掌握用PLA实现组合、时序电路。ROM、PROM的与阵，或阵，用ROM实现组合逻辑函数，用PLA实现组合、时序电路。7.4.1固定ROM存储的内容由生产厂家写入，用户只能读出，不能写入，故称为只读存储器。1.二极管固定ROM地址译码器——与阵存储矩阵——或阵存储容量=字数×位数地址译码器W0W1W2W3Y3Y2Y1Y0A0A1△1111△△△ENEND3D2D1D0存储矩阵输出电路11?≥1Y3Y2Y1Y0W3W2W1W0A1A0???≥1≥1≥12.三极管固定ROM在MOS-ROM的存储单元中，字线和位线交叉处用有MOS管表示“1”，无管表示“0”。地址译码器W0VDDA0A1W1W2W31111D3D2D1D0Y3Y2Y1Y07.4.2可编程ROM（PROM）存储单元的内容由用户自己写入，不能再改写（熔丝型）地址译码驱动W0W1W2W3D3D2D1D0VCCA0A1熔断丝读/写放大器AWARDZD’2D’0D’1D’3用户可多次改写，用电擦除。7.4.3可擦除可编程ROM(EPROM)和电可擦除可编程ROM(EEPROM)用户可编程写入信息，也可改写（用X光，或紫外线擦除）1.EPROM:2.EEROM:3.快闪存储器(FlashMemory):采用一种类似于EPROM的单管叠栅结构的存储单元制成的新一代用电信号擦除的可编程ROM，它既吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点，又具有EEPROM用隧道效应擦除的快捷特性。特点：集成度高、容量大、成本低、使用方便。ABC1117.4.4用ROM实现组合逻辑函数例试用ROM设计实现组合电路F1(A,B,C)=∑m(3,4,6,7)F2(A,B,C)=∑m(0,2,3,4,7)m0m1m2m3m4m5m6m7F1F2G1G2G3G0例7-1用PROM构成一个码型转换器，将4位B3B2B1B0二进制转换成循环码G3G2G1G0。G0=?m(1,2,5,6,9,10,13,14)G2=?m(4,5,6,7,8,9,10,11)G3=?m(8,9,10,11,12,13,14,15)解G1=?m(2,3,4,5,10,11,12,13)B0B3B3B2B2B1B1B0m0m1m2m3m4m5m6m7m8m9m10m11m12m13m14m15前面介绍的ROM地址译码是全译码工作方式，且是固定结构形式，每增加一位地址，ROM的容量要增加到原来的两倍。可编程逻辑阵列（PLA）PLA逻辑阵列是部分译码，其或矩阵，与矩阵都可改写。即对译码矩阵和存储矩阵均可编程的电路叫可编程逻辑阵列。
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