《等离子体的形成与消耗》课件.pptVIP

*************************************伏秒消耗的组成内部伏秒消耗与等离子体本身特性相关的伏秒消耗，包括等离子体的电阻性消耗和感应性消耗。这部分消耗直接与等离子体电流维持和变化有关，是伏秒优化的主要目标。外部伏秒消耗与托卡马克装置系统相关的伏秒消耗，主要包括极向场线圈的电阻损耗和装置结构中的涡流损耗。这部分消耗与装置设计有关，通过优化工程设计可以减小。启动阶段消耗等离子体形成和电流爬升阶段的伏秒消耗，包括击穿、电离和电流建立所需的磁通变化。这个阶段通常需要较大的环向电场和较高的伏秒消耗率。平台阶段消耗等离子体电流达到预设值后的稳态运行阶段消耗，主要是电阻性消耗。这个阶段消耗率较低，但时间长，积累的总消耗量可能很大。内部伏秒消耗感应性消耗感应性伏秒消耗与等离子体电流的变化有关，表示为Lp·ΔIp，其中Lp是等离子体内感，ΔIp是电流变化量。这部分消耗在等离子体电流爬升阶段最为显著。等离子体内感Lp与等离子体几何形状和电流分布有关。对于圆形截面等离子体，内感可近似为μ0R[ln(8R/a)-2+li/2]，其中R是主半径，a是小半径，li是内部电感。在电流爬升结束后，感应性消耗基本停止。但如果发生破裂等事件导致电流迅速变化，会产生额外的感应性消耗。电阻性消耗电阻性伏秒消耗是维持等离子体电流流动克服电阻所需的消耗，表示为∫RpIpdt。这部分消耗在整个放电过程中持续存在，是长脉冲运行的主要限制因素。等离子体电阻Rp与电子温度Te成反比（Rp∝Te-3/2），因此高温等离子体的电阻性消耗较低。此外，电阻还与杂质含量有关，高Z杂质会增加有效电荷数Zeff，从而增加电阻性消耗。优化电阻性消耗的方法包括：提高电子温度、控制杂质含量、优化电流分布以及发展非感应电流驱动方法（如射频电流驱动、自举电流等）。外部伏秒消耗涡流损耗在托卡马克运行过程中，磁场的变化会在导电结构（如真空室、支撑结构等）中感应涡流。这些涡流产生的磁场与主磁场相互作用，消耗部分磁通。涡流损耗与磁场变化率和结构电阻率有关。减小涡流损耗的方法包括：使用高电阻率材料、增加结构上的绝缘切缝、优化磁场变化率等。在超导托卡马克中，涡流损耗尤为重要，需要特别注意控制。极向场线圈的电阻损耗极向场线圈（PF线圈）在托卡马克中用于产生极向磁场，控制等离子体位置和形状。线圈中的电流会在其电阻上消耗能量，也会消耗部分磁通。线圈电阻损耗与线圈电流和电阻有关。对于常规线圈，可通过优化线圈设计、改进冷却系统来减小损耗；使用超导线圈则可以几乎消除这部分损耗，是未来聚变堆的必然选择。磁芯饱和效应托卡马克中的铁芯变压器在高磁场下可能达到磁饱和状态，导致磁导率下降，从而影响磁通传输效率，增加伏秒消耗。控制磁芯饱和的方法包括：增大铁芯尺寸、使用高磁导率材料、优化磁场分布等。在无铁芯设计的托卡马克中，虽然没有饱和问题，但需要更多的外部磁场能量来补偿铁芯的缺失。伏秒优化的重要性提高等离子体持续时间在给定的总伏秒预算下，减小伏秒消耗率可以延长等离子体持续时间。对于研究装置，这意味着更长的实验窗口；对于未来的聚变堆，这直接关系到能否实现稳态或准稳态运行，是聚变能源商业化的关键挑战。改善等离子体性能伏秒优化不仅关系到持续时间，还与等离子体性能息息相关。合理的电流分布和爬升率可以避免MHD不稳定性，提高约束性能。电流分布的优化可以改善安全因子分布，抑制新经典撕裂模和锯齿振荡等不稳定性。减少系统负荷降低伏秒消耗率可以减轻电源系统和磁体系统的负荷，降低设备应力和能耗。这对于大型托卡马克装置尤为重要，因为其电源系统和磁体系统通常运行在极限状态附近，任何优化都可能带来显著的经济和技术效益。伏秒优化方法控制等离子体电流爬升率等离子体电流爬升率与感应性伏秒消耗直接相关。过快的爬升会增加感应性消耗，也可能触发MHD不稳定性；过慢的爬升则会增加启动阶段的电阻性消耗。寻找最优爬升率曲线，平衡各种消耗和稳定性要求，是伏秒优化的重要内容。优化极向场线圈电流波形极向场线圈控制等离子体位形和平衡。优化的电流波形可以减小涡流损耗，提高磁场利用效率。采用先进的实时控制算法，响应等离子体状态变化，可以在维持必要控制的同时最小化伏秒消耗。提高等离子体温度由于等离子体电阻与温度的-3/2次方成正比，提高电子温度是减少电阻性伏秒消耗的有效方法。早期辅助加热（如ECRH预热）可以快速提高启动阶段的温度，显著减少这一阶段的电阻性消耗。发展非感应电流驱动非感应电流驱动方法（如电子回旋电流驱动ECCD、低杂波电流驱动LHCD、中性束电流驱动NBCD等）可以减少甚至取代感应电流，大幅