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*Chapter9Memory、CPLDandFPGA本章只要求存储器中的ROM及其用于组合逻辑电路的设计ROM(read-onlymemory)RAM(random-accessmemory)Non-volatilewhilepowereddownVolatilewhilepowereddownOftenbeusedstorefirmwareorinitialprogramofthecomputer…DataexchangeandstoringtemporarilyinCPUorothermicroprocessormemory：storebitsinastructuredway*chapter99.1Read-OnlyMemory(ROM)1.basicstrcture2n×bROMn-bitaddressinputb-bitdataoutputA0A1A2An-2An-1D0D1Db-1……×××××D0Db-1…0…00An-1…A00…011…11××××××××××b-bitdatasketchmapofRAM2.InternalROMstructureRow(address)decoder…A0A1An-1…storagearray
（M×b）…D0Db-1outputcircuit…MaddressinputDataoutput8×4ROMstructure*chapter9wordlinebitlineaddressdecoder输出电路addressinputadatastoredunitdatastoredarrayDataoutputhasdiode:store1nodiode:store0*chapter93.Two-dimensionaldecoding128×1ROM0000000~00011110010000~00111111110000~1111111……地址4.commercialROMtypesmask-programmableROM,arrayconnectionsareprogrammedduringsemiconductormanufactureusingamask.veryfast.verydense.expensive,2-4weekturn-around,lowpowerProgrammableROM(PROM),fusestoprogramonceinthefield,usePROMprogrammer,inexpensivewordlinebitlinefuseEPROM（ErasablePROM）,fusesimplementedusingfloating-gateMOStransistorstoprogram10k~100ktimesinthefield,erasedbyfloodingwithUVlight.E2PROM（ElectricallyEPROM）,byte-program,individualstoredbitsmaybeerasedelectrically.flashE2PROM,aspecifictypeofE2PROMthatiserasedandprogrammedinlargeblocks010302erasedbyUVlight按照数据的输入/输出分为串行EEPROM和并行EEPROM。串行EEPROM：在读写数据时，输入/输出时通过2线、3线、4线或SPI总线等接口方式进行的。并行EEPROM：数据的输入/输出是通过并行总线进行的。近期，低功耗，写入/擦除速度快的产品很多，如Microchip公司的新型8千位、16千位串行EEPROM，最快时钟10MHZ，写入时间5ms，电流3mA,内置写保护功能，可保存数据达200年，承受100万次擦写。Atmel公司的AT24C××系列……StoretheoutputvalueofagiventruthtableintheROM,thefunctioninputsareconnectedtotheaddressinput.Exp1:
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