极管及其基本电路.pptVIP

六、应用举例例7、设图中的二极管D为理想二极管，已知ui(t)的波形如图，在0t5ms的时间间隔内，试绘出uo(t)的波形。ui(t)6V时，D截止，uo(t)=6V;ui(t)≥6V时，D导通:6V200W+-ui+-uo200Wuit/ms510uot/ms668uo=uR+E=i×200+6Vi方法1方法2i×2R+E-ui=0→第3章二极管及其基本电路§1半导体的基本知识§2PN结的形成及特性§3二极管§4特殊二极管1半导体的基本知识一、导体、半导体和绝缘体导体半导体绝缘体如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。1、自然界中的物质按照其导电性能可分为半导体之所以能制成半导体器件，并不是因为它的导电性能介于导体和绝缘体之间，而是因为它具有一些独特的导电性能。(1)与温度有关：T↑→ρ↓即负温度系数(2)与光照有关光照↑→ρ↓与掺杂有关掺杂↑→ρ↓而且搀入不同的杂质，还可以改变其导电类型。2、半导体的特点：半导体的导电性能二、本征半导体1、本征半导体的结构特点——完全纯净的、结构完整的半导体晶体。（1）硅(Si)、锗(Ge)原子的结构+4+14+32硅(Si)原子的结构锗(Ge)原子的结构简化模型二、本征半导体形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。使原子规则排列，结构紧凑。1、本征半导体的结构特点（2）硅、锗原子的共价键结构+4+4+4+4+4+4+4+4+4共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子。在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,它的导电能力为0，相当于绝缘体。在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子。二、本征半导体自由电子空穴，一种带正电荷的粒子。电子(N)－空穴(P)总是成对出现的---本征激发;电子--空穴对的数目对温度、光照十分敏感；一定温度和光照下，电子和空穴的浓度稳定。电子和空穴也可以复合而消失；2、本征半导体的导电机理（1）载流子、自由电子和空穴在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子。同时在原位留下一个空穴。+4+4+4+4+4+4+4+4+4二、本征半导体（2）导电情况2、本征半导体的导电机理+4+4+4+4+4+4+4+4+4E电子电流IN空穴电流IP电子和空穴统称为载流子；总电流＝IN+IP；空穴运动的实质是共有电子依次填补空穴的运动；本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度nN(nP)。T↑→nN(nP)↑→r↓即负温度系数与光照有关光照↑→r↓三、杂质半导体1、N型半导体在本征半导体中掺入少量的五价元素的原子（磷或锑），取代晶体点阵中的某些半导体原子，每个施主原子提供一个自由电子。多余电子施主原子N型半导体中的载流子包括（1）由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。（2）本征半导体中成对产生的电子和空穴。nNnP自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。N型半导体的模型+4+4+4+4+5在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。三、杂质半导体+4+4+4+4+3（1）在本征半导体中掺入三价元素的原子（受主杂质）而形成的半导体。（2）每一个三价元素的原子提供一个空穴作为载流子。空穴硼原子（3）P型半导体中空穴是多子，电子是少子。2、P型半导体（4）P型半导体的模型3、说明杂质半导体就整体来说还是呈电中性的。杂质半导体中的少数载流子虽然浓度不高，但对温度、光照十分敏感。杂质半导体中的少数载流子浓度比相同温度下的本征半导体中载流子浓度小得多。三、杂质半导体四、漂移电流与扩散电流载流子在电场作用下有规则的运动-------漂移运动形成的电流-------漂移电流1、漂移电流载流子由于浓度的不均匀而从浓度大的地方向浓度小的地方扩散所形成的电流。2、散电流§2PN结的形成及特性一、PN结的形成P型半导体内电场空间电荷区N型半导体载流子浓度差扩散扩散电流内电场E漂移电流动态平衡