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不同导电类型硅单晶电学性能分析

摘要

现如今，霍尔效应已经有了越来越广泛的应用，哪怕是我们的生活中，以霍尔效应为基础的家用

电器也随处可见。而在科研领域，我们可以利用霍尔效应测量出样品的电阻率、载流子浓度等电学参

数。本文将使用霍尔效应测试仪器，测量单晶硅的各项参数来验证其可靠性。

本次研究使用HMS-3000霍尔效应测试仪，通过改变通入样品的电流大小和方向，并且控制加在

样品上的磁场方向来测量P-Si和N-Si的电阻率、霍尔迁移率、载流子浓度等电学参数，使用origin

9来处理数据，最后得出该样品具有良好的可靠性。

关键词：霍尔效应，HMS-300