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系统级封装器件中大气中子引发单粒子效应的机理与特性

目录

系统级封装器件中大气中子引发单粒子效应的机理与特性（1）．．．．4

一、内容描述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4

1.1研究背景与意义．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4

1.2研究范围与方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5

1.3文献综述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．6

二、大气中子与单粒子效应概述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．7

2.1大气中子的来源与特性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．9

2.2单粒子效应的定义与分类．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．10

2.3影响因素及影响机制．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．11

三、系统级封装器件中的中子辐照环境．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．12

3.1封装器件的设计与制造过程．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．14

3.2中子在器件中的传输与分布．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．17

3.3辐射对器件性能的影响．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．18

四、大气中子引发单粒子效应的物理机理．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．19

4.1中子与半导体材料的相互作用．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．20

4.2电离损伤与位移损伤机制．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．21

4.3离子注入与再构相变．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．22

五、大气中子引发单粒子效应的数值模拟．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．24

5.1模型选择与构建方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．26

5.2主要参数的确定与验证．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．27

5.3不同场景下的单粒子效应模拟结果分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．28

六、大气中子引发单粒子效应的特性研究．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．29

6.1敏感元件性能退化规律．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．30

6.2不同封装材料和结构对效应的影响．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．32

6.3防护措施及其效果评估．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．33

七、实验验证与趋势分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．34

7.1实验设备与方法介绍．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．36

7.2实验结果与讨论．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．37

7.3未来发展趋势预测．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．39

八、结论与展望．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．40

8.1研究成果总结．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．41

8.2存在问题与挑战分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．43

8.3对未来研究的建议．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．45

系统级封装器件中大气中子引发单粒子效应的机理与特性（2）．．．46

一、内容描述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．46

1.1研究背景与意义．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．47

1.2国内外研究现状．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．48

1.3研究内容与方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．49

二、系统级封装器件概述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．50

2.1封装技术发展概述．．．．．．．．．．．．．．