《高考备考指南 理科综合 化学》课件_第11章 第3节 真题.doc

第十一章第三节

真题体验·直击高考

【全国卷真题体验】

1．(2016·全国卷Ⅰ，37节选)锗(Ge)是典型的半导体元素，在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题：

(1)Ge与C是同族元素，C原子之间可以形成双键、三键，但Ge原子之间难以形成双键或三键。从原子结构角度分析，原因是_________________。

(2)比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：__________________

________________________________________________________________________。

GeCl4

GeBr4

GeI4

熔点/℃

－49.5

26

146

沸点/℃

83.1

186

约400

(3)Ge单晶具有金刚石型结构，其中Ge原子的杂化方式为______，微粒之间存在的作用力是________。

(4)晶胞有两个基本要素：

①原子坐标参数，表示晶胞内部各原子的相对位置。下图为Ge单晶的晶胞，其中原子坐标参数A为(0,0,0)；B为eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2)，0，\f(1,2)))；C为eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2)，\f(1,2)，0))。则D原子的坐标参数为________。

②晶胞参数，描述晶胞的大小和形状。已知Ge单晶的晶胞参数a＝565.76pm，其密度为______________g·cm－3(列出计算式即可)。

【答案】(1)Ge原子半径大，原子间形成的σ单键较长，p－p轨道肩并肩重叠程度很小或几乎不能重叠，难以形成π键

(2)GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸点依次升高。原因是分子结构相似，相对分子质量依次增大，分子间相互作用力逐渐增强

(3)sp3共价键

(4)①(eq\f(1,4)，eq\f(1,4)，eq\f(1,4))②eq\f(8×73,6.02×565.763)×107

【解析】(3)晶体Ge为原子晶体，每个Ge原子与其他相邻的Ge原子间以共价键结合形成空间网状立体结构，Ge为sp3杂化。(4)①结合D在晶胞内的位置可确定其坐标为(eq\f(1,4)，eq\f(1,4)，eq\f(1,4))；②由均摊法可确定该Ge晶胞中含有Ge原子为(eq\f(1,8)×8＋eq\f(1,2)×6＋4)个＝8个，则(eq\f(8,6.02×1023))mol×73g·mol－1＝(565.76×10－10cm)3ρ，解得ρ＝eq\f(8×73,6.02×565.763)×107g·cm－3。

2．[2016·全国卷Ⅲ，37(3)(4)(5)]砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：

(1)AsCl3分子的立体构型为________，其中As的杂化轨道类型为________。

(2)GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9

(3)GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为__________，Ga与As以____________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGag·mol－1和MAsg·mol－1，原子半径分别为rGapm和rAspm，阿伏加德罗常数值为NA，

【答案】(1)三角锥形sp3

(2)GaF3为离子晶体，GaCl3为分子晶体

(3)原子晶体共价eq\f(4π×10－30NAρ?r\o\al(3,Ga)＋r\o\al(3,As)?,3?MAs＋MGa?)×100%

【解析】(1)AsCl3分子中As有一对孤电子对，立体构型为三角锥形，As的杂化轨道数为3＋1＝4，杂化类型为sp3。(2)GaF3、GaCl3的熔点相差较大，是因为晶体类型不同，GaF3熔点高，为离子晶体，而GaCl3的熔点低，为分子晶体。(3)GaAs的熔点高，晶胞为空间网状结构，则为原子晶体，Ga与As以共价键键合。该晶胞中含有4个Ga、4个As，则晶胞中原子的体积为[eq\f(4,3)π(rGa×10－10cm)3＋eq\f(4,3)π(rAs×10－10cm)3]×4，晶胞的体积为eq\f(4?MGa＋MAs?,ρNA)cm3，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为eq\f([\f(4,3)π?rGa×10－10cm?3＋\f(4,3)π?rAs×10－10cm?3]×4,\f(4?MGa＋MAs?,ρNA)cm3)×100%＝eq\f(4π×10－30NAρ?r\o\al(3,Ga)＋r\o\al(3,As)?,3?MAs＋MGa?)×100%。

3．(2015