原创力文档- 1、本文档共8页，其中可免费阅读3页，需付费150金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
电子科技大学二零九至二零一零学年第一学期期末考试
得分一、填空题: 〔共16分，每空1分〕
得分
1. 简并半导体一般是 重 掺杂半导体，这时 电离杂质 对载流子的散射作用不行无视。
2.
2.
处在饱和电离区的N型Si半导体在温度上升后，电子迁移率会 下降/减小，电阻率会 上升/增大。
电子陷阱存在于P/空穴 型半导体中。
电子陷阱存在于
P/空穴 型半导体中。
4.
4.
随温度的增加，P型半导体的霍尔系数的符号
由正变为负
。
在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有 杂质补偿 的作用，在制造各种半导体器件时，往往利用这种作用转变半导体的
文档评论（0）