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半导体三极管基本知识
一、选择题
1.关于P型.N型半导体内参与导电的粒子,下列说法正确的是()。[单选题]*
A.无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴√
B.P型半导体中只有空穴导电
C.N型半导体中只有自由电子参与导电
D.在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电
2.半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础,其主要的特性是()。[单选题]*
A.具有单向导电性√
B.具有放大性
C.具有改变电压特性
D.具有增强内电场性
3.在桥式整流电路中,如果不小心把一只二极管接反了,则电路可能()。[单选题]*
A.仍是桥式整流电路
B.变成半波整流电路
C.出现严重问题√
D.输出的是正弦波
4.稳压二极管的正常工作状态是()。[单选题]*
A.导通状态
B.截止状态
C.反向击穿状态√
D.任意状态
5.某三极管的发射极电流等于1.025mA,基极电流等于25μA,正常工作时它的电流放大倍数β值为()。[单选题]*
A.30
B.40√
C.41
D.51
6.三极管放大的实质是()。[单选题]*
A.将小能量换成大能量
B.将小电压放大成大电压
C.将小电流放大成大电流
D.用较小的电流控制较大的电流√
7.处于放大状态下的三极管,其发射极电流是基极电流的()倍。[单选题]*
A.1
B.?
C.1+?√
D.无关
8.三极管的伏安特性是指它的()。[单选题]*
A.输入特性
B.输出特性
C.输入特性和输出特性√
D.正向特性
9.若三极管的发射结正偏,集电结反偏,则当基极电流增大时,该三极管()。[单选题]*
A.集电极电流将减小
B.集电极电流将增大√
C.集电极电流将不变
D.不确定
10.处于放大状态的NPN型三极管,其三个电极电位之间关系为()。[单选题]*
A、Vb>Ve>Vc
B、Vb<Ve<Vc
C、Vc>Vb>Ve√
D、Ve>Vc>Vb
11.三极管工作在饱和区域时,发射结,集电结的偏置是()。[单选题]*
A.发射结正向偏置,集电结反向偏置
B.发射结正向偏置,集电结正向偏置√
C.发射结反向偏置,集电结反向偏置
D.发射结反向偏置,集电结正向偏置
12.三极管在饱和状态时,IC()IB控制。[单选题]*
A.由
B.不再由√
C.等待
D.无法确定
13.若测得三极管UBE=0.7V,UCE≈0.1V,则该三极管工作在()状态。[单选题]*
A.放大
B.截止
C.饱和√
D.无法判断
14.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和12V,则该三极管的类型为()[单选题]*
A.硅PNP型
B.硅NPN型√
C.锗PNP型
D.锗NPN型
15.处在放大状态的三极管,其三个管脚X、Y、Z电位分别为VX=5.7V,VY=6.3V,VZ=2.3V,则该三极管X、Y、Z对应的电极为()。[单选题]*
A.bce
B.ebc
C.cbe
D.bec√
16.用直流电压表测量NPN型三极管仲各极电位是UB=4.7V,UC=4.3V,UE=4V,则该管的工作状态是()。[单选题]*
A.截止
B.饱和√
C.放大
D.击穿
17.测得某电路中半导体三极管各管脚的电位如题图17所示,则该管是处在()。[单选题]*
A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态√
D.不确定状态
18.测得某放大电路中的三极管各管脚电位如题18图所示,则其()。[单选题]*
A为NPN型,②管脚为b极√
B.材料为锗,③管脚为e极
C.为PNP型,材料为锗
D.材料为锗,①管脚为c极
19.在如图所示各电路中,工作于放大状态的是(图中各管均为硅管)()。[单选题]*
A、A√
B、B
C、C
D、D
20.已知某晶体管的PCM=100mW,ICM=20mA,UCEO=15V,在下列工作条件下,正常工作的是()。[单选题]*
A.UCE=2V,IC=40mA
B.UCE=3V,IC=10mA√
C.UCE=4V,IC=30mA
D.UCE=6V,IC=20mA
21.N型半导体中多数载流子是电子,说明N型半导体呈负电性()。[单选题]*
A.正确
B.错误√
22.一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压()。[单选题]*
A.正确
B.错误√
23.二极管和三极管都是非线性器件()。[单选题]*
A.正确√
B.错误
24.滤波电路一般是由电容和其他元件组成,主要利用电容的充放电把脉动直流电变为平滑的直流电()。[单选题]*
A.正确√
B.错误
25.晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结,所以三极管在作放大管使用时,射极和集电极可相互调换使用()。[单选题]*
A.正确
B.错误√
26.在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做的很薄()。[单选题
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