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表面氢化的CrMn二元金属氧化物耦合GaN纳米线光催化制备乙烯
目录
表面氢化的CrMn二元金属氧化物耦合GaN纳米线光催化制备乙烯(1)
一、内容描述...............................................4
1.1研究背景与意义.........................................5
1.2研究目的与内容.........................................6
1.3研究方法与技术路线.....................................7
二、理论基础与文献综述.....................................8
2.1光催化材料概述.........................................9
2.2金属氧化物半导体材料..................................11
2.3氢化物半导体材料......................................13
2.4GaN纳米线光催化剂研究进展.............................14
2.5乙烯的光催化降解与转化................................15
三、实验材料与方法........................................17
3.1实验原料与设备........................................18
3.2实验方案设计..........................................19
3.3实验过程与参数设置....................................21
3.4数据采集与处理方法....................................23
四、表征与测试............................................24
4.1结构表征方法..........................................24
4.2形貌表征技术..........................................25
4.3能带结构表征..........................................27
4.4光催化性能评价方法....................................28
五、结果与讨论............................................28
5.1CrMn二元金属氧化物的合成与表征........................29
5.2GaN纳米线的制备与表征.................................30
5.3表面氢化对CrMn二元金属氧化物性能的影响................31
5.4耦合CrMn二元金属氧化物与GaN纳米线的协同作用...........32
5.5光催化降解乙烯的效果分析..............................33
六、结论与展望............................................35
6.1研究成果总结..........................................36
6.2存在问题与不足........................................37
6.3未来研究方向与应用前景展望............................38
表面氢化的CrMn二元金属氧化物耦合GaN纳米线光催化制备乙烯(2)
一、内容概括..............................................39
1.1研究背景与意义........................................40
1.2研究目的与内容........................................41
1.3研究方法与技术路线....................................42
二、理论基础与文献综述....................................42
2.1光催化材料概述........................................44
2.2金属氧化物半导体材料..
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