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光电探测技术

实验报告

班级

学号：05

姓名：解娴

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实验一光敏电阻特性实验

一、实验目的

1.了解一些常见的光敏电阻的器件的类型；

2.了解光敏电阻的基本特性；

3.测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流，并作出V/A曲线。

二、实验原理

伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别。这种差别是

当增加电压时，光敏电阻的光电流没有饱和现象，因此，它的灵敏度正比于外加

电压。

光敏电阻与外光电效应光电元件不同，具有非线性的光照特性。各种光敏电

阻的非线性程度都是各不相同的。

大多数场合证明，各种光敏电阻均存在着分析关系。这一关系为

Ik



式中，K为比例系数；是永远小于1的分数。

光电流的增长落后于光通量的增长，即当光通量增加时，光敏电阻的积分

灵敏度下降。

这样的光照特性，使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问

题时不能利用光敏电阻。

光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的。目前已有就像真空光电

管—样，它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样。光敏电阻的积

分灵敏度非常大，最近研究出的硒—鎘光敏电阻达到12A／lm，这比普通锑、铯

真空光电管的灵敏度高120，000倍。

三、实验步骤

1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流

按照图1接线，电源可从+2V～+8V间选用，分别在暗光和正常环境光照下

测出输出电压V暗和V亮。则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL，亮电流

与暗电流之差称为光电流，光电流越大则灵敏度越高。

2、伏安特性

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光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性。按照图1

接线，分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V时的光电流，并尝试高照度光源

的光强，测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果

填入表格并做出V/I曲线。

图1光敏电阻的测量电路

偏压2V4V6V8V10V12V

光电阻I

四、实验数据

实验数据记录如下：

光电流：

E/V246810

U/V0.090.210.320.430.56

I/uA1427.54255.270.5

暗电流：0.5uA

实验数据处理：

拟合曲线如下：

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五、实验结论

通过本次实验了解了一些常用的光敏电阻的类型、内部结构及其基本特性，

也熟练掌握了光敏电阻的特性测试的方法。随着偏置电压的增加，光敏电阻的伏

安特性曲线呈线性增长。

实验二光源光功率测试实验

一、实验目的

1.了解光功率计的原理；

2.掌握光功率计的使用方法；

3.了解不同光源的功率值。

二、实验原理

采用美国相干公司的光功率计测量，其工作原理为：光功率计是测量光纤上

传送的信号强度的设备，用于测量绝对光功率或通过一段光纤的光功率相对损

耗。在光纤系统中，测量光功率是最基本的。光功率计的原理非常像电子学中的

万用表，只不过万用表测量的是电子，而光功率计测量的是光。通过测量发射端

机或光网络的绝对功率，一台光功率计就能够