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晶圆级横向多孔GaN的精准制备与光电器件性能优化研究

一、引言

1.1研究背景

在半导体材料的发展历程中，氮化镓（GaN）凭借其独特的物理性质，逐渐成为了材料科学领域的研究焦点。作为一种宽带隙半导体材料，GaN拥有约3.4电子伏特的宽带隙，高电子迁移率以及高饱和漂移速度，在光电子、射频以及功率电子等多个领域展现出了巨大的应用潜力，为现代电子技术的发展注入了新的活力。

在光电子领域，发光二极管（LED）和激光二极管是GaN材料的重要应用方向。传统的LED照明技术在亮度和能效方面存在一定的局限性，而基于GaN材料的LED，能够发射出短波长的光，包括紫外光和蓝光，极大地提高了