T_CSTM 01003-2023 相变存储器电性能测试方法.docx

ICS31.200CCSL56

团体标准

T/CSTM01003—2023

相变存储器电性能测试方法

Measurementmethodsforelectricalpropertiesofphasechangememory

2023-03-07发布2023-06-07实施

中关村材料试验技术联盟发布

T/CSTM01003—2023

I

目次

前言 II

引言 III

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4仪器与组网 3

5样品 4

6环境条件 4

7器件性能 4

8器件可靠性 11

9试验报告 13

附录A（资料性）相变存储器电性能测试实例 14

附录B（资料性）起草单位和主要起草人 19

参考文献 20

T/CSTM01003—2023

II

前言

本文件参照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中国材料与试验标准化委员会基础与共性技术标准化领域委员会（CSTM/FC00）提出。

本文件由中国材料与试验标准化委员会基础与共性技术标准化领域委员会（CSTM/FC00）归口。

T/CSTM01003—2023

III

引言

相变存储器因具备超高速、高集成度、低功耗等特点而受到国内外研究者的广泛关注，被认为是最有潜力的下一代主流非易失性存储器，正在以前所未有的速度向产业化方向发展。

相变存储器的有效精准测试是指导性能优化的基础，但目前国际国内均无统一的相变存储器测试标准。随着近年来相变存储器产业化进程加速，亟待建立一套明确的相变存储器电性能测试标准，以指导器件优化设计、上下游测试设备等产业发展。

本文件规定了一套明确的相变存储器电性能测试方法标准，分为器件性能测试和器件可靠性测试，器件性能测试包括电流-电压特性、存储窗口、置位时间、置位电压、复位时间、复位电压、功耗；器件可靠性测试包括耐久性和数据保持时间，对相变存储器的研究与应用至关重要，满足众多相变存储器生产与应用的迫切需求。

T/CSTM01003—2023

1

相变存储器电性能测试方法

1范围

本文件规定了相变存储单元器件的电性能测试方法，分为器件性能测试和器件可靠性测试，器件性能测试包括电流-电压特性、存储窗口、置位时间、置位电压、复位时间、复位电压、功耗；器件可靠性测试包括耐久性和数据保持时间。

本文件适用于相变存储单元器件（以下简称器件）。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T17574半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路

GB/T33657纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

3术语和定义

GB/T17574和GB/T33657界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

置位set

通常施加一个宽度较宽且幅度适中的电脉冲，使相变材料温度升高到结晶温度以上、熔化温度以下，并且保持一定的时间，使晶体成核生长，实现相变材料由非晶态向多晶态的转化，进而实现相变存储单元阻值降低，即置1操作。使相变存储器件置入不表示零的规定状态的置位（SET）操作。

[来源：GB/T17574-1998，1.2.21，有修改]3.2

复位reset

通常施加一个宽度较窄而幅度较高的电脉冲，电能转变成热能,使相变材料温度迅速升高到熔化温度以上，然后经过快速冷却，使多晶的长程有序排列遭到破坏，锁定在短程有序排列上，实现由多晶态向非晶态的转化，进而实现相变存储单元阻值升高，即置0操作。使相变存储器件恢复到规定的不必一定表示零的初始状态的复位（RESET）操作。

[来源：GB/T17574-1998，1.2.22，有修改]3.3

读操作read

T/CSTM01003—2023

2

指施加一个宽度适当而幅度较小的电脉冲，通过测量相变单元的电阻值是高或低来判断其存储的数据，由于读取时不能改变相变存储器单元的状态，因此施加一个幅值较小的电脉冲，使其产生的热量不使相变材料的温度上升到结晶温度以上。读取相变存储单元存储状态的操作。

3.4

直流电流—电压