T∕ZZB 0497-2018 声表面波器件用单晶晶片.docx

T/ZZB0497—2018

I

目次

前言 II

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4基本要求 2

5产品要求 3

6试验方法 6

7检验规则 8

8标志、包装、运输和储存 9

9质量承诺 10

附录A（规范性附录）压电单晶的欧拉角表示法 11

附录B（资料性附录）SAW晶片制作工艺 14

附录C（规范性附录）测量方法 19

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II

前言

本标准依据GB/T1.1—2009给出的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由浙江省品牌建设联合会提出并归口。

本标准由浙江方圆检测集团股份有限公司牵头组织制定。本标准主要起草单位：中电科技德清华莹电子有限公司。

本标准参与起草单位：浙江方圆检测集团股份有限公司、中国电科第二十六研究所、北京航天微电科技有限公司（排名不分先后）。

本标准主要起草人：卢明达、黄顺民、李勇、岳高东、崔坤、贝伟斌、胡少勤、史向龙、杭州明、杨攀、朱卫俊、宋松、林毅、施旭霞。

本标准由浙江方圆检测集团股份有限公司负责解释。

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1

声表面波器件用单晶晶片

1范围

本标准规定了单晶晶片的术语和定义、基本要求、产品要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存、质量承诺。

本标准适用于人造石英（QZ）、铌酸锂（LN）、钽酸锂（LT）、四硼酸锂（LBO）和硅酸镓镧（LGS）等单晶晶片。这些单晶晶片用作声表面波(SAW)器件的基片材料。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T3352人造石英晶体——规范与使用指南（MOD，IEC60758:2004）

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：可接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划（IDT，ISO2859-1:1999）

GB/T30118—2013声表面波（SAW）器件用单晶晶片——规范与测量方法YS/T554—2007铌酸锂单晶

IEC62276:2016-10声表面波（SAW）器件用单晶晶片——规范与测量方法

3术语和定义

GB/T3352、GB/T30118—2013中界定的以及下列术语和定义适用于本标准。

3.1LN和LT晶体的术语和定义

3.1.1

还原处理reductionprocess

通过还原反应增加导电性以减少热释电效应引起的损伤。3.1.2

还原铌酸锂reducedLN

还原处理过的LN。

注：还原铌酸锂有时称为“黑铌酸锂（blackLN）”。3.1.3

还原钽酸锂reducedLT

还原处理过的LT。

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2

注：还原钽酸锂有时称为“黑钽酸锂（blackLT）”。

4基本要求

4.1设计研发

企业应具有铌酸锂、钽酸锂单晶晶片配方开发能力。

4.2原材料

4.2.1人造石英晶体

用Z切向角度偏差在+5°以内的籽晶生长的人造石英晶体，且晶片不含-X方向生长区。按GB/T3352，人造石英晶体的品质应满足或优于下面的等级：

——红外吸收系数α值：D级；

——包裹体密度（个/cm3）：Ⅱ级；——腐蚀隧道密度（条/cm2）：2级。

4.2.2铌酸锂晶体

具有规定范围居里温度的单畴晶体。

4.2.3钽酸锂晶体

具有规定范围居里温度或者晶格常数的单畴晶体。

4.2.4四硼酸锂，硅酸镓镧晶体

无双晶的单晶。

4.3生产及检测设备

4.3.1加工设备

企业应具有高精度磨床、多线切割、全自动倒角、双面研磨、单面减薄、单面抛光的大型高精度、高稳定性加工设备。

4.3.2高精度设备

企业应具有定向仪、轮廓仪、高倍显微镜、差热分析仪、平面度测试仪、Candela（坎德拉）等高精度设备。

4.3.3清洗能力

企业应具有高清洗能力，以满足客户产品免清洗的要求。

4.4工艺

4.4.1工艺流程

企业应具备切、磨、减薄、抛等必备的工艺流程。

4.4.2工艺要求

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采用大型、高稳定性、高平整度设备对产品进行研磨、减薄、抛光等加工过程，保障产品具备高光洁度、高平面度质量。

4.5环保

生产后产生的碎晶片、晶体头尾料、晶粉及废砂应回收利用。生产后的工业废水应中和排放，应具备处理生产工业废