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第六章

存储器与可编程逻辑器件

存储器概述存储器：专用于存放大量二进制数码的器件存储器一般概念磁介质类——软磁盘、硬盘、磁带、…光介质类——CD、DVD、MO、…半导体介质类——SDRAM、EEPROM、FLASHROM、…随机存储(读写)存储器RAM只读存储器ROMRAM:SDRAM,磁盘，ROM:CD,DVD,FLASHROM,EEPROM按材料分类按功能分类

存储器概述存储器分类：RAM(RandomAccessMemory)随机存取存储器ROM(ReadOnlyMemory)只读存储器随机存取存储器：在运行状态可以随时进行读或写操作RAM信息易失：芯片必须供电才能保持存储的数据SRAMDRAM只读存储器：通过特定方法写入数据，正常工作时只能读出ROM信息非易失：信息一旦写入，即使断电也不会丢失ROM(工厂掩膜)PROM(一次编程)PROM(多次编程)双极型MOS型存储器：专用于存放大量二进制数码的器件

存储器概述存储器的主要性能指标：容量：存储单元总数（bit）存取时间：表明存储器工作速度其它：材料、功耗、封装形式等等1Kbit=1024bit=210bit128Mbit=134217728bit=227bit字长：一个芯片可以同时存取的比特数1位、4位、8位、16位、32位等等标称：字数×位数如4K×8位=212×8=215单元（bit）读操作和写操作时序图：存储器的工作时序关系

随机存取存储器随机存取存储器（RAM），它能随时从任何一个指定地址的存储单元中取出（读出）信息，也可随时将信息存入（写入）任何一个指定的地址单元中。因此也称为读/写存储器。优点：读/写方便缺点：信息容易丢失，一旦断电，所存储器的信息会随之消失，不利于数据的长期保存。

存储矩阵(2n字×m位)片选与读写控制电路CSR/W地址输入控制输入三组输入信号：地址输入、控制输入和数据输入一组输出信号：数据输出大容量RAM数据输入／输出合为双向端口A0Ai地址译码器…..W0…..m数据输入/输出I/Om主要由地址译码器、存储体及读出电路等三部分组成。

RAM的结构框图片选与读写控制电路地址输入01存储矩阵：存储器中各个存储单元的有序排列地址译码器02地址译码器：对外部输入的地址码进行译码，唯一地选择存储矩阵中的一个存储单元存储矩阵03输入/输出控制电路：对选中的存储单元进行读出或写入数据的操作数据输入/输出04控制信号输入(CS、R/W)

1.存储矩阵：由存储单元构成，一个存储单元存储一位二进制数码“1”或“0”。与ROM不同的是RAM存储单元的数据不是预先固定的，而是取决于外部输入信息，其存储单元必须由具有记忆功能的电路构成。2.地址译码器：也是N取一译码器。3.读/写控制电路：当R/W=1时，执行读操作，R/W=0时，执行写操作。4.片选控制：当CS=0时，选中该片RAM工作，CS=1时该片RAM不工作。

静态MOS存储单元(SRAM)MOS六管存储单元T1~T4构成基本RS触发器T1－T2构成MOS反相器T3－T4构成MOS反相器两个反相器输入与输出交叉连接，构成基本RS触发器，储存数据。T5、T6——本单元控制门Xj=1，行地址选择线Xi有效(选中)T5、T6开通，触发器的两个互补输出端与位线接通。Xj=0，行地址选择线Xi无效T5、T6关断，触发器的两个互补输出端与位线隔离。存储单元VDDT3T4T2T1T6T5行选择Xi列选择Yj数据位数据位DDT8T7B位线B位线T7、T8——列存储单元的公用控制门Yj=1，T7、T8均导通，触发器的输出才与数据线接通，该单元才能通过数据线传送数据。

使Xi、Yj有效，T5~T8开通，触发器的两个互补输出端分别向D、端传出数据；B位线读出是无破坏性的，即，读操作不会使数据发生改变。写入会改变原来存放的数据。即，不管原来存放的数据是什么，写操作后一定是新写入的数据。读取数据：VDDT3T4T2T1T6T5行选择Xi列选择Yj数据位数据位DDT8T7B位线先将待写入的数据送到D、端上，再使X、Y有效，T5~T8开通，外来数据强行使触发器置位或复位。写入数据：11

片选与读写控制VDDT3T4T2T1T6T5行选择Xi列选择Yj数据位数据位DDT8T7B位线B位线片选：写入数据：片选和读写控制逻辑的与门被封锁，输出0，片选和读写控制逻辑的与门输出由读写信号控制，允许读写操作。I/OA3A2A1100三态门A1、A2、A3均为高阻，存储单元与数据总线隔离，读写操作禁止。0

VDDT3T4T2T1T