GB_T14264-2024半导体材料术语.pptxVIP

GB/T14264-2024半导体材料术语标准解析该标准于2024年4月25日正式发布，将于11月1日正式实施。标准全面更新了半导体材料术语体系，为行业提供权威参考。这是半导体材料领域的重要里程碑，将推动行业标准化发展。作者：

标准背景发布机构由国家市场监督管理总局正式发布，代表国家权威。归口单位全国半导体设备和材料标准化技术委员会负责管理。替代版本替代GB/T14264-2009版本，体现技术进步和行业发展。适用范围覆盖半导体材料研发、生产和制备全领域。

标准主要起草单位有研半导体硅材料股份公司国内领先的半导体硅材料研发生产企业。有色金属技术经济研究院提供半导体材料领域技术经济研究支持。北京大学东莞光电研究院开展半导体材料前沿研究的学术机构。南京国盛电子有限公司专注于半导体材料工业化应用的企业。

标准分类基础性标准提供行业基础术语规范国际标准分类号29.045中国标准分类号H80该标准作为半导体材料领域权威技术规范，为行业提供了统一的术语体系参考。

术语体系构建基本术语定义半导体材料基础概念制备工艺术语规范生产流程专业词汇材料缺陷定义标准化缺陷分类描述专业术语规范化统一行业技术语言

半导体材料基本概念半导体材料定义导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。能带结构具有特殊性，电子跃迁遵循量子力学原理。电学性质分类根据能带结构和载流子类型进行分类。包括N型、P型和本征半导体等不同类型。材料结构特征原子间形成共价键，具有周期性晶格排列。晶格缺陷对电学性能有显著影响。

半导体材料分类元素半导体由单一元素构成，如硅(Si)、锗(Ge)。应用最广泛，工艺成熟。化合物半导体由两种或多种元素形成的化合物。如GaAs、InP、SiC等。掺杂半导体通过掺杂改变电学性质的半导体。分为N型和P型。复合半导体材料多种材料复合形成的新型半导体。如异质结构、超晶格等。

半导体晶体结构晶体生长机理原子按特定规律排列形成晶体。生长过程需严格控制温度、压力等条件。晶格缺陷分类包括点缺陷、线缺陷和面缺陷。不同缺陷对材料性能影响各异。晶体取向与性能不同晶向具有不同的物理化学性质。晶向选择对器件性能至关重要。微观结构分析通过电镜等手段观察晶体微观结构。微观结构决定宏观电学性质。

半导体制备工艺术语单晶生长方法包括直拉法、区熔法等术语定义。规范各种生长工艺的技术参数描述。外延技术术语涵盖液相外延、气相外延等技术。标准化外延层结构描述方法。掺杂工艺定义规范离子注入、热扩散等掺杂方法。统一掺杂浓度表示方式。材料纯度控制明确纯化工艺和杂质检测术语。建立材料纯度等级评价体系。

材料纯度控制术语杂质浓度定义规范ppb、ppm等浓度单位的应用场景。明确不同杂质对材料性能的影响阈值。净化技术定义区熔提纯、化学气相沉积等技术。规范各种净化工艺的技术指标。杂质类型分类区分金属杂质、气体杂质和有机杂质。明确各类杂质的检测方法。纯度测量方法标准化ICP-MS、GDMS等先进测量技术。规范测量结果的表达方式。

半导体材料缺陷分类点缺陷包括空位、间隙原子和替代原子。影响载流子寿命。线缺陷主要指位错。影响载流子迁移率和泄漏电流。面缺陷包括晶界、堆垛层错等。导致电学性能不均匀。体缺陷如微裂纹、包裹体。严重影响器件良率。

电学性能术语术语定义测量方法电阻率单位长度、单位截面下的电阻值四探针法载流子浓度单位体积内的自由电子或空穴数量霍尔效应测量迁移率载流子在电场作用下的漂移速度与电场强度之比霍尔效应测量能带结构描述电子能量分布的量子力学模型光电子能谱这些电学参数是评价半导体材料性能的关键指标，直接影响器件性能。

半导体掺杂术语掺杂类型N型掺杂：引入施主杂质P型掺杂：引入受主杂质补偿掺杂：同时引入施主和受主掺杂浓度定义轻掺杂：≤10^15cm^-3中等掺杂：10^15~10^18cm^-3重掺杂：≥10^18cm^-3掺杂剂分类Ⅴ族元素：砷、磷、锑Ⅲ族元素：硼、镓、铝深能级掺杂剂：过渡金属

光电半导体术语光生电流半导体材料吸收光子后产生的电流。与入射光强度、波长和材料带隙有关。量子效率入射光子转换为光生载流子的比例。是衡量光电材料性能的关键指标。光谱响应描述材料对不同波长光的响应能力。通常用响应度曲线表示。发光材料能将电能转化为光能的半导体材料。LED、激光器等器件的核心材料。

半导体外延技术术语外延生长方法包括液相外延、气相外延和分子束外延外延层质量评价缺陷密度、均匀性和界面特性评估外延工艺参数温度、压力、气流和掺杂浓度控制外延片术语外延层厚度、电阻率和缺陷密度定义

半导体材料表征技术晶体结构分析X射线衍射、透射电镜等技术。确定晶体结构和晶向。电学性能测试霍尔效应、电阻率测量。评价载流子浓度和迁移率。表面形貌检测原子力显微镜、扫描电镜。观察纳米尺度表面特征。

常见半导体材料硅材料最广泛应用的半