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双栅pocket层隧穿场效应晶体管的数值仿真研究.docx

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    目

    双栅pocket层隧穿场效应晶体管的数值仿真研究

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    摘要

    MOSFET是具有很好的电学特性，但是摩尔定律已接近极限且功耗问题日益显著。为了保证未来集成电路的发展，新型的场效应晶体管的研究开始进入白热化阶段。其中的双栅隧穿场效应晶管（DG-TFET）更是因其具有的亚阈值摆幅低、功耗小、与CMOS工艺有很好的兼容性等优点，被认为是MOSFET的极好的替代者。

    DG-TFET采用了与MOSFET的掺杂类型不同的源、漏区掺杂类型相反的方式，使得其工作时在栅极电压的作用下，源区与沟道之间的界面发生了电荷隧穿现象，产生了隧穿

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