超宽带电磁学及应用-第3章-PCSS工作机理.pptVIP

第三章PCSS信号源;陷阱填充和电荷注入模型(J.H.Yee,G.H.Khanaka)

高场区雪崩双注入模型(HMZhao,P.Hadizad)

两个施主能级起重要作用的非线性模型(Brinkmann)

光学活性模型(Dougal);较低功率、超快、长寿命、高重频?超快电路、宽谱测试、瞬态检测

较高功率、窄脉宽、较高重频?冲激雷达、宽谱测试、微波功率

高功率、较宽脉宽、低重频?电磁干扰、点火装置、微波功率

左手材料衬底?THz器件;3.2半导体材料的光吸收机理;量子力学计算Franz-Keldysh效应，吸收限附近吸收系数满足;3.2.2高场强下隧穿效应引起的光吸收;将式代入定态薛定谔方程，可得;(3.2.5);第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;3.2.4EL2能级引起的GaAs光吸收;取n=1015cm-3，?=0.5m2/Vs，E=3.5kV/cm，s=2.4mm2，那么Imax=67A，计算

结果与实验测试结果20~40A数量级上一致;3.3高偏置电场下载流子分布规律的实验结论;C高载流子浓度

载流子将从电场中获得的能量首先在载流子内部交换；

载流子作为一个整体形成相对独立的系统，系统以一定速度v漂移；满足;3.4高偏置电场下载流子散射机制;多种散射机制下，载流子的平均自由时间为;电子平均速度与平均自由时间?的关系;GaAs的散射机制:电离杂质散射、晶格振动散射、等价与不等价谷间散射、

中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射等

影响散射强弱的因素:温度、杂质浓度、载流子浓度、偏置电场、压力等

散射的物理机制:外界因素改变了半导体材料的固有周期势场;

进而引起禁带宽度的起伏变化(微扰势场);

改变了它运动波矢k，形成所谓散射;设初、末状态载流子本征波函数分别为?k、?k?，那么Hkk?为;按半导体理论中的布洛赫定理，半导体中载流子波函数满足;(3.4.14);3.4.3典型散射机制下的散射几率;(3.4.19);上式第二步应用了近似;其中;长光学波是原胞质心不动，Ga原子与As原子各自围绕原胞质心的振动;其中，kc为声学波振动方??，Aq为振幅;在高载流子浓度下，如仍采用汤川屏蔽势函数;(1)弱场下GaAs电导率、迁移率的一般计算公式;(3.4.34);对材料参数影响最大的散射机制为极性光

学波散射，其次是电离杂质散射，再其次

是光学波形变势散射

电离杂质散射只在简并条件成立的附近影

响材料的宏观参数，而在低载流子浓度和

强简并情况下，其影响是可以被忽略的;(2)计算结果与实验测试的比较;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源;第三章PCSS信号源