FUJITSU IIC接口存储芯片MB85RC64 系列英文资料.pdf

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FUJITSUSEMICONDUCTOR

DATASHEETDS05–13109–3E

MemoryFRAM

64K(8K×8)BitIC

MB85RC64

■DESCRIPTION

TheMB85RC64isaFRAM(FerroelectricRandomAccessMemory)Stand-Alonechipinaconfigurationof

8,192words×8bits,usingtheferroelectricprocessandsilicongateCMOSprocesstechnologiesforforming

thenonvolatilememorycells.

TheMB85RC64adoptsthetwo-wireserialinterface.

UnlikeSRAM,theMB85RC64isabletoretaindatawithoutusingadatabackupbattery.

Theread/writeenduranceofthenonvolatilememorycellsusedfortheMB85RC64hasimprovedtobeat

least10102

cycles,significantlyoutperformingFlashmemoryandEPROMinthenumber.

TheMB85RC64doesnotneedapollingsequenceafterwritingtothememorysuchasthecaseofFlash

memorynorE2PROM.

■FEATURES

•Bitconfiguration:8,192words×8bits

•Operatingpowersupplyvoltage:2.7Vto3.6V

•Operatingfrequency:400kHz(Max)

•Two-wireserialinterface:I2C-busspecificationver.2.1compliant,supportsStandard-mode/

Fast-mode.

Fullycontrollablebytwoports:serialclock(SCL)andserialdata(SDA).

•Operatingtemperaturerange:−40°Cto+85°C

•Dataretention:10years(+75°C)

•Read/writeendurance:1010times

•Package:Plastic/SOP,8-pin(FPT-8P-M02)

•Lowpowerconsumption:Operatingcurrent0.15mA(Max:@400kHz),Standbycurrent5μA(Typ)

相近型号说明书可通用，具体看说明书包括型号

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