卟啉基分子器件电磁输运性质的多维度解析与应用展望.docx

卟啉基分子器件电磁输运性质的多维度解析与应用展望

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，电子器件的小型化和高性能化成为了当今电子学领域的核心追求。传统的硅基电子器件长期以来在电子学中占据主导地位，推动了计算机、通信等诸多领域的巨大进步。然而，随着器件尺寸不断缩小至纳米尺度，传统硅基电子器件逐渐遭遇瓶颈。在这一微观尺度下，量子效应如量子隧穿、量子涨落等变得愈发显著。量子隧穿会导致绝缘层漏电，使得经典电学规律不再适用，器件的性能和稳定性受到严重威胁。同时，进一步减小器件尺寸面临着材料、制造工艺等多方面的挑战，成本也大幅增加。因此，寻找能够替代传统硅基电子器件的新型材料和技术，成