《检测技术与自动化仪表》第10章光电传感器.pptx

检测技术与自动化仪表;第十章光电传感器;1905年德国物理学家爱因斯坦用光量子学说解释了光电发射效应，并为此而获得1921年诺贝尔物理学奖。;概述;;光都具有反射、折射、散射、衍射、干涉和吸收等性质。由光的粒子说可知，光是以光速运动着的粒子（光子）流，一束频率为ν的光由能量相同的光子所组成，每个光子的能量为

h——普朗克常数，6.626×10-34J·s；

ν——光的频率（单位s-1）。

可见，光的频率愈高（即波长愈短），光子的能量愈大。;光源（发光器件）;2.气体放电光源;3.发光二极管（LED—LightEmittingDiode）;4、激光器

激光是20世纪60年代出现的最重大科技成就之一，具有高方向性、高单色性和高亮度三个重要特性。激光波长从0.24μm到远红外整个光频波段范围。;光电传感器是将被测量的变化通过光信号变化转换成电信号，具有这种功能的材料称为光敏材料，做成的器件称光敏器件。

在计算机、自动检测、控制系统应用非常广泛。

光敏器件种类很多:

如：光电管、光敏二极管、

光电倍增管、光敏三极管、

光敏电阻、光电池、

光电耦合器、光纤等等。;指纹锁;料位自动控制;第一节光电效应;(1)外光电效应;由能量守恒定律有：;紫外管外形;光电导效应：

入射光强改变物质导电率的物理现象称光电导效应

基于光电导效应的光电器件

有光敏电阻。;光生伏特效应：

光生伏特效应是半导体材料吸收光能后，在PN结上产生电动势的效应。

下面分两种情况讨论：

不加偏压时的PN结

处于反偏时的PN结;不加偏压时的PN结

当光照射在PN结时，如果电子能量大于半导体禁带宽度（E0＞Eg）,可激发出电子——空穴对在PN结内电场作用下空穴移向P区，而电子移向N区使P区和N区之间产生电压，这个电压就是光生电动势.;处于反偏时的PN结：

无光照时，反向电阻很大，反向电流很小；

有光照时，光子能量足够大产生光生电子—空穴对，在PN结电场作用下，电子N，空穴P运动，形成光电流；

光电二极管一般反向连接。

电流方向与反向电流一致，

光照越大光电流越大。

具有这种性能的器件有：

光敏二极管、光敏晶体管

从原理上讲，不加偏压的

光电二极管就是光电池。;第二节光电器件;真空光电管的伏安特性;主要用于：分光光度计、

光电比色计等分析仪器和各种自动装置。;（2）光电倍增管;光电倍增管的光阴极和阳极之间被加了许多倍增极（10个左右），在阳极和阴极之间加有几百～上千伏的高压，每个倍增极间有100～200V高压；光电倍增管的电流增益在105数量极。倍增极外加电压Ud与增益G的关系近似为：

式中：——常数

——倍增极数;;（3）光敏电阻;当在黑暗的环境下，光敏电阻的阻值(暗电阻)很大，电路中电流很小。当受到光照，并且光辐射能量足够大时、光导材料禁带中的电子受到能量大于其禁带宽度的光子激发，由价带越过禁带而跃迁到导带，便使导带的电子和价带的空穴增加，电导率变大，电路中电流迅速增加，用电流表可以测量出电流。根据电流值的变化，即可推算出照射光强的大小。;当光敏电阻受到光照时，阻值减小。;光敏电阻光照特性

无光照时，内部电子被原子束缚，具有很高的电阻值；

有光照时，电阻值随光强增加而降低；

光照停止时，自由电子与空穴复合，电阻恢复原值。;;伏安特性

给定偏压

光照越大光电流越大；

给定光照度

电压越大光电流越大；

光敏电阻的伏安特性

曲线不弯曲、无饱和，

但受最大功耗限制。

光照度

单位面积的光通量;温度特性

温度变化影响光敏电阻的灵敏度、暗电流和光谱响应。

温度T，波长λ变短。;应用：溶液浓度检测系统;工作原理;(4)光敏二极管和光敏三极管;光敏二极管结构与一般二极管相似，它们都有一个P—N结，并且都是单向导电的非线性元件。为了提高转换效率大面积受光，PN结面积比一般二极管大。;光敏二极管;工作原理：

光敏二极管在电路中一般处于反向偏置状态，

无光照时，反向电阻很大，

反向电流很小；

有光照时，PN结处产生光生

电子空穴对；

在电场作用下形成光电流，

光照越强光电流越大；

光电流方向与反向电流一致。;光敏二极管的反向偏置接线及光电特性演示;基本特性：

光照特