微电子概论（第3版）课件 第2章　集成器件物理基础.pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）

引言：构成集成电路的核心是半导体器件，包括pn结二极管、双极型晶体管（BJT）、金属－氧化物－半导体场效应晶体管（MOSFET）和结型场效应晶体管（JFET）等。特别是半导体不同于一般导电材料的三个特点是半导体器件工作的物理基础：半导体材料中具有电子和空穴两种载流子；电子和空穴这两种载流子均存在漂移和扩散两种电流；半导体中存在非平衡载流子及其相关的载流子产生、复合两种效应。为了理解半导体器件工作原理，首先必须了解半导体材料的重要物理性质。2.1.1节主要内容：基于普通物理概念理解半导体材料的特性。

目录1.半导体材料2.1.1半导体及其共价键结构2.集成电路中常用元素的原子结构4.单晶和多晶3.硅晶体中的共价键5.半导体中的两种载流子

1.半导体材料(1)“半导体”材料的基本特点是导电性介于导体和绝缘体之间。普通物理中按照“电阻率”的大小划分导体、绝缘体和半导体。材料导体半导体绝缘体电阻率ρ（Ω?cm）＜10-410-4~109＞109典型实例铝、铜、金硅、锗、砷化镓陶瓷、二氧化硅

1.半导体材料(2)半导体导电性的突出特点不仅仅是“半”导体(a)掺杂性：在半导体中加入微量的其他元素原子（称为“掺进杂质”，简称为“掺杂”），可以在很大范围内改变半导体的导电能力。即使硅中杂质原子比例只有10-7，导电能力增大20多万倍。例如：这正是制作各种半导体器件和集成电路的物理基础。集成电路制造工艺中离子注入、扩散工艺是实现掺杂的重要方法。

1.半导体材料(b)热敏性：随着温度增高，半导体导电能力急剧增强。半导体材料硅在200℃的电阻率比室温下电阻率减小几千倍。例如：可制作温度敏感元件，如热敏电阻。注意：金属的电阻率随着温度的升高而增大(c)光敏性：在外界光照作用下，半导体导电能力会发生很大变化。可制作各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管。(2)半导体导电性的突出特点不仅仅是“半”导体

1.半导体材料(3)半导体材料的类型按照元素组成情况，半导体材料分为元素半导体与化合物半导体材料两类。常见的元素半导体主要包括硅(Si)、锗(Ge)等。常见的化合物半导体包括砷化镓(GaAs)、碳化硅（SiC）、氮化钾（KN）、氧化铝(AlGaO)等。为了描述半导体材料在半导体器件中的应用情况和特点，目前将不同半导体材料分为“四代”。

1.半导体材料(3)半导体材料的类型(a)第一代半导体材料：指晶体管发明早期到1956年平面工艺发明前广泛采用的“锗(Ge)”、以及1956年至今在半导体器件与集成电路中仍然广泛采用的“硅(Si)”。(b)第二代半导体材料：指1980年代开始用于制造在移动通信、卫星通信中使用的射频功率器件的化合物半导体材料“砷化镓（GaAs）”。(c)第三代半导体材料：指1990年代开始用于制造在轨道交通、电网、微波通信、照明灯领域中大功率器件、微波功率器件、以及LED的“碳化硅(SiC)”和“氮化镓(GaN)”。

1.半导体材料(3)半导体材料的类型(d)第四代半导体材料：指“氧化镓(Ga2O3)”和“锑化物”材料。采用这类材料制造的光电器件以及电力电子器件，性能更强，并且可以工作在苛刻的环境条件中。目前已成为国内外广泛关注的热点，尚未达到实用化程度。

1.半导体材料(3)半导体材料的类型上述四代材料划分主要反映在半导体器件和集成电路中开始使用的时间早晚以及适用的不同领域，并不像通常理解的那样，前一代材料将会完全被随后几代替代。注意：目前集成电路已经发展到3纳米技术时代，但是采用的还是第一代半导体材料Si。例如第二代和第三代半导体材料也与第一代材料一样，仍然在广泛采用，只是应用领域互不相同。

2.集成电路中常用元素的原子结构(1)半导体材料硅的原子结构复习：化学元素周期表上第几族原子，表示其最外层就有几个电子。制造集成电路的材料硅是四族元素原子，最外层有四个电子。集成电路制造中常用的三族元素硼，最外层有三个电子。五族元素磷、砷，最外层有五个电子。Si+14

2.集成电路中常用元素的原子结构(2)常用元素原子结构简单示意图原子相互作用时，主要是最外层电子起作用，为了分析问题方便起见，通常只描绘其最外层电子。

3.硅晶体中的共价键晶体中使得原子组成晶体的作用有几种不同形式。以硅为代表的晶体中原子以共价键方式组成晶体。两个原子之间靠两个共有价电子构成的共有电子对而连接。