光电探测技术与应用 课件 第三章光电探测器基本理论.pdf

光电探测器的理论基础

光电探测器的物理基础

•半导体物理基础

•半导体光电效应

•探测器中的噪声

•探测器的主要特性参数

硕士：重点：根据被测对象、环境以及性价比，如何选型？

博士：重点：根据机理研发器件，领跑、并跑和跟跑

光辐射探测器分类一

真光电管

空

光光电倍增管

电真空摄像管

器

件变像管

光电

像增强器

探测

器光敏电阻

光辐

光电池

射探固

测器体光电二极管

光光电三极管

电

器光电耦合器

件位置传感器（PSD）

电荷耦合器件（CCD）

热电偶和热电堆UFPA

热探测器测热辐射计Uncooledinfrared

热释电探测器focalplanearrays

光辐射探测器分类二

半导体材料

•半导体材料大多数是晶体材料。

•单晶材料中原子全部都有规则周

期性排列的晶体。

•多晶在很小范围内原子有规则的

排列，形成小晶粒；晶粒之间为无

规则排列的晶粒界。

电子的能级分布

•电子只能在一些分离开的、

•能级（EnergyLevel）原子

特定的规道上绕核运动。电

核外的电子按照一定的壳层

子的不同内能值形成不同的

排列，每一壳层容纳一定数

能级。

量的电子。每个壳层上的电

•在电子能级图上用高低不同

子具有分立的能量值。

的水平线表示电子的能级。

•能带（EnergyBand）：当

大量原子共存于内部结构规

电

律的晶体中时，密集的能级子

能

就变成了带状，即能带。