光电探测技术与应用 课件 第五章3-光敏电阻.pdf

半导体光电导器件

光敏电阻的特点

•光谱响应范围宽：紫外～可见光～红外

•工作电流大：～mA量级

•可测光强范围宽：弱光～强光

•偏置电压低，无极性之分

•灵敏度高，光电导增益1InSb

•频率响应低刻线

•强光线性较差结构

•受工作温度影响大

光敏电阻的三种结构

梳状结构IqVN夹层结构

pL2nnpp

为了减小L，光敏

电阻常采用梳状、

刻线结构

刻线和夹层结构。

光电导效应

•光照变化引起半导体材料电导变

光照

化的现象称光电导效应。电极电极

•光敏电阻是用光电导效应制成的

光电导体

器件。

•光电导材料：Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-ⅤIPV

族化合物，硅、锗等n型半导体。

(CdS,PbS,InSb,HgCdTe等）

光照-载流子浓度增大-电导率增大

·光电导增益M：光照产生的光生

载流子在电场作用下所形成的外

部光电流Ip与光电子形成的内部

电流（qN）之间的比值。

MI/qN/t，光敏电阻

Pdr

响应时间，tdr光电子在两电极间的渡越时间。

光敏电阻的类型

电场方向

•本征半导体光敏电阻EC

电

hc

hE子EEg禁带宽度

g能g

长波限量

E

1240/EnmV

0g

•掺杂型半导体光敏电阻（电子的迁移率比空穴大，常用n型

半导体）

电场方向