电工与电子技术b期末试卷及答案.docxVIP

电工与电子技术b期末试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.电路中，电阻R两端的电压为10V，通过R的电流为0.5A，则该电阻的阻值为（）。

A.20Ω

B.10Ω

C.5Ω

D.2Ω

2.在纯电阻电路中，电能转换为内能，根据能量守恒定律，下列说法正确的是（）。

A.电能大于内能

B.电能小于内能

C.电能等于内能

D.电能与内能没有关系

3.正弦交流电的三要素是（）。

A.最大值、角频率、相位

B.有效值、角频率、相位

C.最大值、有效值、相位

D.最大值、角频率、初相位

4.理想电压源与理想电流源并联时，下列说法正确的是（）。

A.理想电压源短路

B.理想电流源短路

C.理想电压源短路，理想电流源开路

D.理想电压源开路，理想电流源短路

5.电路中，电感L对交流电的阻碍作用称为（）。

A.电阻

B.电导

C.电抗

D.阻抗

6.电路中，电容C对交流电的阻碍作用称为（）。

A.电阻

B.电导

C.电抗

D.阻抗

7.三相电路中，星形连接的线电压与相电压的关系是（）。

A.相电压是线电压的√3倍

B.线电压是相电压的√3倍

C.相电压等于线电压

D.线电压等于相电压

8.电路中，二极管正向导通的条件是（）。

A.正向电压大于正向导通电压

B.正向电压小于正向导通电压

C.反向电压大于反向击穿电压

D.反向电压小于反向击穿电压

9.稳压二极管工作在（）状态时，才能实现稳压作用。

A.正向导通

B.反向击穿

C.反向截止

D.正向击穿

10.集成电路中，TTL与非门电路的输出高电平电压约为（）。

A.0V

B.3.3V

C.5V

D.12V

二、填空题（每题2分，共20分）

1.欧姆定律的数学表达式为：I=________。

2.交流电路中，电感L的感抗XL=________。

3.交流电路中，电容C的容抗XC=________。

4.三相电路中，星形连接的线电流与相电流的关系是：I线=________。

5.半导体材料的导电能力介于导体与绝缘体之间，因此称为______。

6.二极管具有______性，即正向导通，反向截止。

7.三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数用______表示。

8.场效应管具有______控制作用，即用电压控制电流。

9.集成电路中，TTL与非门电路的输出低电平电压约为______。

10.集成电路中，CMOS非门电路的功耗比TTL非门电路的功耗______。

三、计算题（每题10分，共30分）

1.电路中，电阻R1=10Ω，R2=20Ω，串联后接在12V的电源上，求R1和R2两端的电压。

2.电路中，电感L=0.5H，电阻R=10Ω，接在正弦交流电源上，电源的频率f=50Hz，求电路的感抗XL。

3.电路中，电容C=1000μF，电阻R=1kΩ，接在正弦交流电源上，电源的频率f=1kHz，求电路的容抗XC。

四、分析题（每题15分，共15分）

1.画出三极管共发射极放大电路的直流通路，并说明各元件的作用。

五、实验题（每题15分，共15分）

1.画出TTL与非门电路的真值表，并说明其逻辑功能。

答案：

一、单项选择题

1.B

2.C

3.D

4.D

5.C

6.C

7.B

8.A

9.B

10.C

二、填空题

1.U/R

2.2πfL

3.1/(2πfC)

4.I线=√3I相

5.半导体

6.单向导电

7.β

8.电压

9.0V

10.低

三、计算题

1.R1两端电压：U1=I(R1)=(12/(10+20))×10=4V

R2两端电压：U2=I(R2)=(12/(10+20))×20=8V

2.XL=2πfL=2π×50×0.5=157.08Ω

3.XC=1/(2πfC)=1/(2π×1000×1000×1kHz)=1.59Ω

四、分析题

1.三极管共发射极放大电路的直流通路如下：

电源VCC通过RB、RB1、RB2向三极管基极供电，RB1、RB2为基极偏置电阻，RB为基极电阻。三极管集电极通过RC接地，RC为集电极电阻。三极管发射极通过RE接地，RE为发射极电阻。三极管集电极与发射极之间接有耦合电容Cc，用于隔直通交。三极管具有电流放大作用，将输入信号放大后输出。

五、实验题

1.TTL与非门电路的真值表如下：

|输入A|输入B|输出Y|

|---|---|---|

|0|0|1|

|0|1|1|

|1|0