碳化硅MOSFET并联电流不均衡：深度剖析与高效调控策略研究.docx

碳化硅MOSFET并联电流不均衡：深度剖析与高效调控策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电力电子技术的飞速发展，对功率器件的性能要求日益严苛。在众多功率器件中，碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管（SiliconCarbideMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，碳化硅MOSFET）凭借其卓越的性能优势，在电力电子领域崭露头角，成为研究与应用的热点。

碳化硅MOSFET具备低导通电阻、低开关损耗、高导热性以及高开关频率等显著特性。低导通电阻使其在导通状态下的功率损耗大幅降低，有效提高了能源利用效率；低开