T∕CSTM 00032-2020 铈掺杂硅酸钇镥闪烁晶体阵列.docxVIP

ICS27.120.01F88

团体标准

T/CSTM00032-2020

铈掺杂硅酸钇镥闪烁晶体阵列

ArrayofLYSO:Cescintillationcrystal

2020-08-03发布2020-11-03实施

中关村材料试验技术联盟发布

T/CSTM00032—2020

I

前言

本标准参照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

请注意本文件的某些内容有可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任本标准由中国材料与试验团体标准委员会建筑材料领域委员会（FC03）提出。

本标准由中国材料与试验团体标准委员会建筑材料领域委员会人工晶体技术委员会（FC03/TC16）归口。

T/CSTM00032—2020

1

铈掺杂硅酸钇镥闪烁晶体阵列

1范围

本标准规定了铈掺杂硅酸钇镥闪烁晶体阵列的术语和定义、产品标记、技术要求、检测方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存等。

本标准适用于X射线、γ射线及带电粒子探测用铈掺杂硅酸钇镥闪烁晶体阵列。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T4960.6-2008核科学技术术语：核仪器仪表

GB/T13181-2002闪烁体性能测量方法

GB/T13376-2008塑料闪烁体

JC/T2018—2010高能粒子探测用掺铊碘化铯晶体

T/CSTM00033-2020核辐射探测用无机光学单晶术语

3术语和定义

GB/T4960.6-2008、GB/T13181-2002、GB/T13376-2008和T/CSTM00033-2020界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

像素pixel

组成晶体阵列的最小晶体元件。

3.2

闪烁晶体阵列arrayofscintillationcrystals

多个表面镀或覆盖有高反射率反射层的闪烁晶体元件（通常元件的尺寸相同），按预定设计排列并通过光学胶、机械夹持等方式连接而成的组合。

3.3

断丝率breakpointrate

闪烁晶体阵列中，断裂的晶体元件数与总元件数的比值，称为断丝率，通常用符号B表示，并按公式(1)进行计算：

T/CSTM00032—2020

2

100%.....................................................................(1)

式中：

Bi——断裂的晶体元件数，单位为个；

B0——总元件数，单位为个。

3.4

串光opticalcrosstalk

在射线照射过程中，闪烁晶体阵列中不同像素之间发生射线与光的泄露与串扰，造成分辨率下降及其他不良影响的现象。

3.5

串光率opticalcrosstalkrate

闪烁晶体阵列中，像素串光表面数与像素总接触表面数的比值。通常用C来表示：

100%....................................................................(2)

式中：

Ci——像素串光表面数，单位为个；

C0——像素总接触表面数，单位为个。

3.6

光产额lightyield

闪烁体吸收单位入射辐射能量所产生的光子数。用LY来表示：

....................................................................(3)

式中：

LY——光产额，单位为光子每兆电子伏（ph./MeV）；

ΔE——核辐射在闪烁体中所损失的能量，单位为兆电子伏（MeV）；

N——闪烁体在吸收核辐射能量后所产生的光子数，单位为光子（photons）。

[T/CSTM00033-2020，定义3.31]3.7

光输出lightoutput

闪烁体吸收单位入射辐射能量后，所产生的光子中能够被探测器有效接收的数量，属于测量值，单位为光电子每兆电子伏（p.e./MeV）。

[T/CSTM00033-2020，定义3.32]3.8

闪烁体参考样品referencesamplesofscintillators

用来校正测试系统或标定其他闪烁体性能的闪烁体。

[GB/T13376-2008，定义3.4]

T/CSTM00032—2020

3

3.9

能量分辨率energyresolution