功率MOSFET器件FOM值优化策略与新结构探索：理论、实践与创新.docxVIP

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2025-04-28 发布于上海
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功率MOSFET器件FOM值优化策略与新结构探索：理论、实践与创新

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今的电力电子领域，功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）凭借其出色的特性，如高开关速度、低导通电阻、易于驱动和良好的热稳定性等，占据着至关重要的地位，已然成为电力转换与控制的核心器件。从日常生活中的手机充电器、电脑电源，到工业领域的电机驱动、新能源发电系统，再到电动汽车的电池管理系统，功率MOSFET的身影无处不在，其性能的优劣直接影响着这些应用系统的效率、可靠性和成本。

在衡量功率MOSFET性能的众多指标中，品质因数（FOM，FigureofMerit）是一个极