电子元器件分析技术.pptVIP

失效发生期与失效率失效率时间随机磨损早期第31页，共86页，星期日，2025年，2月5日以失效分析为目的的电测技术电测在失效分析中的作用重现失效现象，确定失效模式，缩小故障隔离区，确定失效定位的激励条件，为进行信号寻迹法失效定位创造条件电测的种类和相关性连接性失效、电参数失效和功能失效第32页，共86页，星期日，2025年，2月5日电子元器件失效分析的简单实用测试技术（一）连接性测试：万用表测量各管脚对地端/电源端/另一管脚的电阻，可发现开路、短路和特性退化的管脚。电阻显著增大或减小说明有金属化开路或漏电部位。待机(standby)电流测试:所有输入端接地（或电源），所有输出端开路，测电源端对地端的电流。待机(standby)电流显著增大说明有漏电失效部位。待机(standby)电流显著减小说明有开路失效部位。第33页，共86页，星期日，2025年，2月5日电子元器件失效分析的简单实用测试技术（二）各端口对地端/电源端的漏电流测试（或I——V测试）,可确定失效管脚。特性异常与否用好坏特性比较法确定。第34页，共86页，星期日，2025年，2月5日待机(standby)电流显著减小的案例由于闩锁效应某EPROM的两条电源内引线之一烧断。第35页，共86页，星期日，2025年，2月5日待机(standby)电流偏大的案例TDA7340S音响放大器电路用光发射显微镜观察到漏电部位第36页，共86页，星期日，2025年，2月5日由反向I－V特性确定失效机理第37页，共86页，星期日，2025年，2月5日由反向I－V特性确定失效机理直线为电阻特性，pn结穿钉，属严重EOS损伤。反向漏电流随电压缓慢增大，pn结受EOS损伤或ESD损伤。反向击穿电压下降，pn结受EOS损伤或ESD损伤。第38页，共86页，星期日，2025年，2月5日由反向I－V特性确定失效机理反向击穿电压不稳定：芯片断裂、芯片受潮烘烤变化与否可区分离子沾污和静电过电失效第39页，共86页，星期日，2025年，2月5日烘焙技术1应用范围：漏电流大或不稳定、阻值低或不稳定、器件增益低、继电器接触电阻大2用途：确定表面或界面受潮和沾污3方法：高温储存、高温反偏第40页，共86页，星期日，2025年，2月5日清洗技术应用范围：离子沾污引起的表面漏电用途：定性证明元器件受到表面离子沾污方法：无水乙醇清洗去离子水冲洗（可免去）烘干第41页，共86页，星期日，2025年，2月5日烘焙和清洗技术的应用举例彩电图像模糊的失效分析第42页，共86页，星期日，2025年，2月5日烘焙和清洗技术的应用举例双极型器件的反向靠背椅特性是钝化层可动离子沾污的结果，可用高温反偏和高温储存来证实。第43页，共86页，星期日，2025年，2月5日失效分析的发展方向失效定位成为关键技术非破坏非接触高空间分辨率高灵敏度第44页，共86页，星期日，2025年，2月5日无损失效分析技术无损分析的重要性(从质检和失效分析两方面考虑)检漏技术X射线透视技术用途：观察芯片和内引线的完整性反射式扫描声学显微技术用途：观察芯片粘接的完整性，微裂纹，界面断层第45页，共86页，星期日，2025年，2月5日检漏技术粗检：负压法、氟碳加压法细检：氦质谱检漏法第46页，共86页，星期日，2025年，2月5日负压法检漏酒精接机械泵第47页，共86页，星期日，2025年，2月5日氟碳加压法FC43沸点180CF113沸点47.6C加热至125C第48页，共86页，星期日，2025年，2月5日X射线透视与反射式声扫描比较第49页，共86页，星期日，2025年，2月5日X射线透视举例FPGA电源内引线烧断第50页，共86页，星期日，2025年，2月5日C－SAM像举例功率器件芯片粘接失效塑封IC的管脚与塑料分层第51页，共86页，星期日，2025年，2月5日样品制备技术种类：打开封装、去钝化层、去层间介质、抛切面技术、去金属化层作用：增强可视性和可测试性风险及防范：监控第52页，共86页，星期日，2025年，2月5日打开塑料封装的技术浓硫酸和发烟硝酸腐蚀法第53页，共86页，星期日，2025年，2月5日去钝化层的技术湿法：如用HF：H2O＝1：1溶液去SiO285％HPO3溶液，温度