垂直腔面发射半导体激光阵列外腔互注入锁相动力学:机制、影响与应用.docx

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垂直腔面发射半导体激光阵列外腔互注入锁相动力学:机制、影响与应用

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体激光器自诞生以来,凭借其体积小、效率高、可靠性强等优势,在光通信、光存储、激光加工、医疗等众多领域得到了广泛应用。垂直腔面发射半导体激光器(Vertical-CavitySurface-EmittingLaser,VCSEL)作为半导体激光器家族中的重要成员,与传统的边发射半导体激光器相比,具有独特的优势。

VCSEL的激光出射方向垂直于衬底表面,这种结构使其具备诸多优良特性。例如,它能产生圆形光斑,光束质量好,在光束整形和耦合方面具有明显优势,无需复杂的光束整形系统即可实现

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