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第一单元二极管及其应用

1.物质按导电能力的强弱可分为导体、半导体和绝缘体三大类。

2.半导体的特性：光敏性、热敏性、掺杂性。

3.本征半导体：完全纯净的半导体。它的自由电子和空穴数目相等，对外不显电性。本征半导体温度升高或光照增强，内部的自由电子和空穴数目增加，且增量相同。

4.P型半导体（空穴型半导体）：在本征半导体中掺入三价元素硼，形成主要靠空穴导电的半导体。多子是空穴，少子是自由电子。

5.N型半导体（电子型半导体）：在本征半导体中掺入五价元素磷，形成主要靠自由电子导电的半导体。多子是自由电子，少子是空穴。

6.N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体；反之，P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，也可将其改型为N型半导体，

7.PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区将变宽。

8.二极管的结构：PN结、管壳、两个电极。

9.二极管的特性（PN结的特性）：单向导电性（正向导通反向截止）

10.二极管的伏安特性：

正向特性：

二极管加正向电压不一定导通，必须大于“死区”电压才能导通。

“死区”电压：硅管0.5V锗管0.2V

导通电压（管压降）：硅管0.7V锗管0.3V

反向特性：

随反向电压增加，反向电流基本不变（漏电流），反向电压增加到某一值时，反向电流急剧增大，这种现象叫反向击穿，此时对应的电压叫反向击穿电压。

11.二极管的主要参数：

①最大整流电流IFM

②最高反向工作电压URM

③最高工作频率f

④反向饱和电流IR

12.二极管的型号：A锗N型，B锗P型，C硅N型，D硅P型，Z整流，W稳压，U光电，P普通

13.二极管的检测：

（1）判断极性：将万用表调至R*100或R*1K电阻档，并调零，将红黑表笔任意接至两个电极测出一组电阻值，交换表笔再测一次，结果必定一大一小，以较小的为准，黑正红负。

（2）判断好坏：检测结果均趋于0，则短路；均趋于无穷大，则开路；正大反小，则性能变差；正小反大，则正常。

（3）数字式万用表测极性：将万用表调至二极管测量档，两只表笔任意接在二极管的两个电极，显示屏上的数字小于1，说明正向导通，此时红正黑负，显示屏上的数字等于1，说明反向截止，此时红负黑正。

14.其他类型的二极管：

（1）稳压二极管又称齐纳二极管，工作在反向击穿状态，反接在电路中。

（2）发光二极管工作在正偏状态，将电能转换成光能

可见光：红色、黄色、绿色、白色等

不可见光：红外线等

优点：体积小、用电省、工作电压低、工作电流小、寿命长、单色性好、响应速度快

光电二极管工作在正偏状态，将光能转换成电能

无光照，反向电流微弱，称为暗电流；光照强，反向电流增大，称为亮电流。

变容二极管工作在反偏状态，特点：当给变容二极管施加反向电压时，两个电极之间的PN结电容大小随加到变容二极管两端反向电压大小的改变而变化。

15.整流电路是将输入的交流电压转换为脉动的直流电压；滤波电路是将脉动的直流电压转变为平滑的直流电压。

16.计算公式

电路类型

物理量

半波

整流

桥式

整流

半波整流

电容滤波

桥式整流

电容滤波

负载

开路

输出电压U

0.45

0.9U

U

1.2U

1.4U

每管平均电流I

I

I

I

I

耐压U

√2

√2

2

√2

17.滤波电路分为电容滤波、电感滤波和复式滤波。

18.电容滤波和电感滤波的区别：

电容滤波：电容在电路中并联，负载能力差，输出电压高，电流小，要承受较大的浪涌电流；电容利用其在电路中①隔直通交②电容两端电压不能突变③充放电的特性进行滤波。

电感滤波：电感在电路中串联，负载能力好，输出电压低，二极管不会受到浪涌电流的损害；电感利用其在电路中①隔交通直②电感中的电流不能突变的特性进行滤波。