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还原氧化石墨烯制备碳化硅晶须：方法、机理与吸波应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，我们已步入5G时代，这一时代的到来给电子设备领域带来了革命性的变化。5G技术凭借其高速率、低时延和大连接的特性，极大地推动了各类电子设备向高性能、小型化和多功能化方向发展。在这一背景下，电子设备的功率不断增大，而尺寸却越来越小，由此带来的散热问题成为了制约电子设备性能提升和可靠性的关键因素。例如，5G基站中的电子元件在高功率运行时会产生大量热量，如果不能及时有效地散发出去，不仅会导致设备性能下降，还可能引发设备故障，严重影响通信质量和稳定性。

碳化硅晶须（SiCwhi