电子技术基础 课件 数电 12.1 半导体器件的开关特性.pptx

第12章集成逻辑门电路

12.1?半导体器件的开关特性12.1.1双极型晶体管的开关特性数字电路中常用双极型晶体管和场效应管（MOS）做开关，当输入信号加载到一个输入端时，使另外两端变成开路或短路，电路中就产生了两个电压级别，分别表示二进制的0和1。晶体管开关构成了二进制系统的硬件基础。

12.1?半导体器件的开关特性三极管这种在外加电压作用下，截止和饱和后的稳态模型，它反映了三极管的静态开关特性。如果三极管工作在截止状态，管子截止，相当于开关断开。如果三极管工作在饱和状态，管子饱和导通，相当于开关接通。

12.1?半导体器件的开关特性1.开关特性a.三极管开关电路图RcVccRBV11VV22VuO10k?+－1k?uI+－S5V动态时，晶体管在截止与饱和两种状态间转换。由于晶体管内部电荷的建立和消散都需要时间，所以集电极电流的变化滞后于基极电压的变化，即iC和uO的变化不能瞬时完成，而是需要时间的。

12.1?半导体器件的开关特性b.三极管开关电路波形图ooouoiCICS0.9ICS0.1ICSVCCtontoffV2V1tttuIa)开关时间延迟时间td——从uI上跳开始到iC上升到0.1ICS所需要的时间

12.1?半导体器件的开关特性ooouoiCICS0.9ICS0.1ICSVCCtontoffV2V1tttuI上升时间tr——iC从0.1ICS上升到0.9ICS的时间接通时间ton——td与tr之和

12.1?半导体器件的开关特性ooouoiCICS0.9ICS0.1ICSVCCtontoffV2V1tttuI存储时间tS——iC从ICS下降到0.9ICS的时间

12.1?半导体器件的开关特性ooouoiCICS0.9ICS0.1ICSVCCtontoffV2V1tttuI关断时间toff——ts与tf之和下降时间tf——iC从0.9ICS下降到0.1ICS的时间

12.1?半导体器件的开关特性三极管的接通时间ton、关断时间toff，统称为开关时间。开关时间越短，开关速度也就越高。管子的结构工艺，外加输入电压的极性及大小。b)影响开关时间的因素c)提高开关速度的途径制造开关时间较小的管子，设计合理的外电路。

12.1?半导体器件的开关特性(a)电路图；(b)电路符号通常toffton、tstf。因此控制三极管的饱和深度，减小ts是缩短开关时间，提高开关速度的一个主要途径。给三极管的集电结并联一个肖特基二极管(高速、低压降)，限制三极管的饱和深度，可以大大缩短开断时间。将三极管和肖特基二极管制作在一起，构成肖特基晶体管，提高电路的开关速度。

12.1?半导体器件的开关特性2.三极管反相器RB1uo6.8k?+－(A)(L)uI+－RC330?RB222k?VBB5V+VCC(+5V)反相器工作原理：a.当uI高电平时晶体管饱和导通输出uO?0b.当uI低电平时晶体管截止输出uO?VCC

12.1?半导体器件的开关特性BJT工作状态uIuO低截止高饱和非门电平表反相器的输出与输入关系可表示为高低

12.1?半导体器件的开关特性12.1.2场效应管的开关特性1.MOS场效应管(MOSFET)的开关特性MOS管的输入电阻很大，电路功耗很小，且MOS管的面积比单极型晶体管要小，可以使复杂的数字系统占用很小的硅片面积，大规模地提高集成电路的集成度。数字电路中普遍采用增强型的MOSFET

12.1?半导体器件的开关特性（当漏源电压uDS较高时）b.当uGS大于UT，管子工作在变阻状态，电压uDS较小，相当于开关接通。a.栅源电压uGS小于开启电压UT时，iD=0，管子处于截止状态，相当于开关断开。增强型NMOSFET的工作原理：gsduGSuDSiD

12.1?半导体器件的开关特性在NMOS管的栅极加上电路的最高电压VDD，使管子很好导通。如果输入电压uI在0V到VDD之间变化，输出电压uO被限制在0V和VDD-UTN之间，输出电压达不到电源值。结论：NMOS传输一个强逻辑0，传输弱逻辑1PMOS传输一个强逻辑1，传输弱逻辑0数字电路中，逻辑0的理想电平为0V，逻辑1的理想电平为电源电压。

12.1?半导体器件的开关特性2.CMOS反相器PMOS和NMOS在电气和逻辑特性