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高重频纳秒激光诱导CMOS光电探测器损伤机理研究.pdf

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    摘要

    互补式金属氧化物半导体（Complementarymetaloxidesemiconductor,CMOS）光

    电探测器因其制造工艺成本低、生产效率高、功耗低、集成度高、响应速度快等优点，

    在民用、科研和军事领域得到广泛应用。然而，CMOS光电探测器内部结构复杂，包

    含大量微小的电子元件，这些微小元件对激光的能量敏感，容易受到激光束的热效应

    或光电效应影响，导致探测器性能降低甚至损坏。因此，研究激光辐照CMOS光电探

    测器损伤机理对于提高其抗干扰能力和稳定性，以及为激光防护

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