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Si(001)图形衬底上Ge纳米线：可控生长机制与全面表征研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今半导体技术飞速发展的时代，新型半导体材料和结构的研究对于推动半导体产业的持续进步至关重要。其中，Si(001)图形衬底上Ge纳米线由于其独特的物理性质和潜在的应用价值，成为了半导体领域的研究热点之一。

硅（Si）作为现代半导体工业的基石，具有成熟的制备工艺、良好的化学稳定性和电学性能，在大规模集成电路中占据着主导地位。而锗（Ge）则拥有较高的载流子迁移率，其电子和空穴的迁移速度比硅更快，这使得在相同电场条件下，Ge能够实现更快速的信号传输，显著提升器件的运行速度。同时，Ge较窄