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摘要
基横模半导体激光器因具有尺寸小、光束质量好、功耗低、效率高的一系列的优
点,在光通信系统、光网络、光储存等众多领域中有着广泛的应用。随着新型科技的
出现以及现有技术的拓展,人们对基横模激光器的输出功率提出了越来越高的要求。
为了提高半导体激光器的输出功率,激光器需要增大器件的增益介质体积。目前研究
人员将大光腔、非对称窄波导、平板耦合波导等结构应用在半导体激光器中,使激光
器在保持基横模的同时提高输出功率。
近年来,有报道将多模干涉耦合器(MMI)应用在半导体激光器中。传统的有
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