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用vasp计算硅的能带结构

在最此次仿真之前，因为从未用过vasp软件，所以必须得学习此软件及一些能

带的知识。vasp是使用赝势和平面波基组，进行从头量子力学分子动力学计算的

软件包。用vasp计算硅的能带结构首先要了解晶体硅的结构，它是两个嵌套在

一起的FCC布拉菲晶格，相对的位置为(a/4,a/4,a/4),其中a=5.4A是大的正方晶

格的晶格常数。在计算中，我们采用FCC的原胞，每个原胞里有两个硅原子。

VASP计算需要以下的四个文件：INCAR（控制参数）,KPOINTS（倒空间撒点）,

POSCAR（原子坐标）,POTCAR（赝势文件）

为了计算能带结构，我们首先要进行一次自洽计算，得到体系正确的基态电子密

度。然后固定此电荷分布，对于选定的特殊的K点进一步进行非自洽的能带计算。

有了需要的K点的能量本征值，也就得到了我们所需要的能带。

步骤一.—自洽计算产生正确的基态电子密度：

以下是用到的各个文件样本:

INCAR文件：

SYSTEM=Si

Startparameterforthisrun:

NWRITE=2;LPETIM=Fwrite-flagtimer

PREC=mediummedium,highlow

ISTART=0job:0-new1-cont2-samecut

ICHARG=2charge:1-file2-atom10-const

ISPIN=1spinpolarizedcalculation?

ElectronicRelaxation1

NELM=90;NELMIN=8;NELMDL=10#ofELMsteps

EDIFF=0.1E-03stopping-criterionforELM

LREAL=.FALSE.real-spaceprojection

Ionicrelaxation

EDIFFG=0.1E-02stopping-criterionforIOM

NSW=0numberofstepsforIOM

IBRION=2ionicrelax:0-MD1-quasi-New2-CG

ISIF=2stressandrelaxation

POTIM=0.10time-stepforionic-motion

TEIN=0.0initialtemperature

TEBEG=0.0;TEEND=0.0temperatureduringrun

DOSrelatedvalues:

ISMEAR=0;SIGMA=0.10broadeningineV-4-tet-1-fermi0-gaus

Electronicrelaxation2(details)

Writeflags

LWAVE=TwriteWAVECAR

LCHARG=TwriteCHGCAR

VASP给INCAR文件中的很多参数都设置了默认值，所以如果你对参数不熟悉，

可以直接用默认的参数值。比如在这个例子中，下面的比较简单的INCAR文件

也可以完成任务:

SYSTEM=Si

Startparameterforthisrun:

PREC=mediummedium,highlow

ISTART=0job:0-new1-cont2-samecut

ICHARG=2charge:1-file2-atom10-const

EDIFF=0.1E-03stopping-criterionforELM

NSW=0numberofstepsforIOM

IBRION=2ionicrelax:0-MD1-quasi-New2-CG