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一、IGBT是什么?
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。(因为MOS管有Rds,如果Ids比较大,就会导致Vds很大)
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT最主要的作用就是把高压直流变为交流,以及变频(所以用在电动车上比较多)。
二、IGBT的工作原理
忽略复杂的半导体物理推导过程,下面是简化后的工作原理。
IGBT有N沟道型和P沟道型两种,主流的N沟道IGBT的电路图符号及其等效电路如下:
所以整个过程就很简单:
当栅极G为高电平时,NMOS导通,所以PNP的CE也导通,电流从CE流过。
当栅极G为低电平时,NMOS截止,所以PNP的CE截止,没有电流流过。
IGBT与MOSFET不同,内部没有寄生的反向二极管,因此在实际使用中(感性负载)需要搭配适当的快恢复二极管。
三、IGBT的优缺点
优点:
1、具有更高的电压和电流处理能力。
2、极高的输入阻抗。
3、可以使用非常低的电压切换非常高的电流。4、电压控制装置,即它没有输入电流和低输入损耗。
5、栅极驱动电路简单且便宜,降低了栅极驱动的要求
6、通过施加正电压可以很容易地打开它,通过施加零电压或稍微负电压可以很容易地关闭它。
7、具有非常低的导通电阻。
8、具有高电流密度,使其能够具有更小的芯片尺寸。
9、具有比BJT和MOS管更高的功率增益。10、具有比BJT更高的开关速度。
11、可以使用低控制电压切换高电流电平。12、双极性质,增强了传导性。
13、安全可靠。
缺点:
1、开关速度低于MOS管。
2、因为是单向的,在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。
3、不能阻挡更高的反向电压。
4、比BJT和MOS管价格更高。
5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构,因此它存在锁存问题
四、IGBT的主要参数
1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压,一般UCES小于或等于器件的雪崩击穿电压。
2、栅极-发射极额定电压UGE是IGBT栅极与发射极之间允许施加的最大电压,通常为20V。栅极的电压信号控制IGBT的导通和关断,其电压不可超过UGE。
3、集电极额定电流IC是IGBT在饱和导通状态下,允许持续通过的最大电流。
4、集电极-发射极饱和电压UCE是IGBT在饱和导通状态下,集电极与发射极之间的电压降。该值越小,则管子的功率损耗越小。
5、开关频率在IGBT的使用说明书中,开关频率是以开通时间tON、下降时间t1和关断时间tOFF给出的,根据这些参数可估算出IGBT的开关频率,一般可达30~40kHz。在变频器中,实际使用的载波频率大多在15kHz以下。
五、IGBT的静态特性曲线
IGBT静态特性曲线包括转移特性曲线和输出特性曲线:其中左侧用于表示IC-VGE关系的曲线叫做转移特性曲线,右侧表示IC-VCE关系的曲线叫做输出特性曲线。
1、转移特性曲线
IGBT的转移特性曲线是指输出集电极电流IC与栅极-发射极电压VGE之间的关系曲线。
为了便于理解,这里我们可通过分析MOSFET来理解IGBT的转移特性。
当VGS=0V时,源极S和漏极D之间相当于存在两个背靠背的pn结,因此不论漏极-源极电压VDS之间加多大或什么极性的电压,总有一个pn结处于反偏状态,漏、源极间没有导电沟道,器件无法导通,漏极电流ID为N+PN+管的漏电流,接近于0。
当0vgsvgs(th)时span=,栅极电压增加,栅极G和衬底p间的绝缘层中产生电场,使得少量电子聚集在栅氧下表面,但由于数量有限,沟道电阻仍然很大,无法形成有效沟道,漏极电流ID仍然约为0。
当VGS≥VGS(th)时,栅极G和衬底p间电场增强,可吸引更多的电子,使得衬底P区反型,沟道形成,漏极和源极之间电阻大大降低。此时,如果漏源之间施加一偏置电压,MOSFET会进入导通状态。在大部分漏极电流范围内ID与VGS成线性关系,如下图所示。
IGBT中,当VGE≥VGE(th)时,IGBT表面形成沟道,器件导通。
2、输出特性曲线
IGBT的输出特性通常表示的是以栅极-发射极电压VGE为参变量时,漏极电流IC和集电极-发射极电压VCE之间的关系曲线。
由于IGBT可等效
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