微电子器件考研资料 模拟题（三）.docVIP

微电子器件模拟题（三）

填空题

一维情况下的泊松方程的微分形式是（） ，在采用了耗尽近似的P型耗尽区中可简化为（）。

某突变PN结，P型区掺杂浓度，N型去掺杂浓度，则耗尽区宽度之比（）。

PN结势垒电容反映的是（）电荷随外加电压的变化率。掺杂浓度越高，则势垒电容越（）；外加反向电压越高，势垒电容越（）。

为了提高晶体管的电流放大系数，应该（）发射区方块电阻，即（）发射区掺杂浓度，（）发射结结深。（选填“增大”、“减小”）

基区穿通是指当（）结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。为了防止基区穿通，可以（）基区掺杂浓度，（）基区宽度。

为了提高晶体管的最高振荡频率，应当使特征频率（），基极电阻（），集电结势垒电容（）。（选填“增大”、“减小”）

我们知道电子迁移率大于空穴迁移率，对于相同掺杂、相同基区宽度的PNP和NPN晶体管，其电流放大系数（）。（选填“”、“”、“”）

通常情况下，BJT的电流放大系数随温度的升高而（），MOSFET的阈值电压绝对值随温度的升高而（）。

MOSFET的阈值电压是