Mg掺杂β-Ga₂O₃薄膜：制备工艺、物理性质与应用前景的深度剖析.docx

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2025-05-09 发布于上海
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Mg掺杂β-Ga?O?薄膜：制备工艺、物理性质与应用前景的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，对半导体材料性能的要求日益提高，宽禁带半导体材料应运而生并成为研究热点。宽禁带半导体，一般指禁带宽度（Eg）大于2.0eV的半导体材料，与传统的硅（Si）、锗（Ge）等窄禁带半导体相比，具有更优异的物理特性。其拥有高的临界雪崩击穿电场强度，这使得基于宽禁带半导体材料制成的电力电子器件能够承受更高的电压，有效减少器件在高电压下的击穿风险，提高器件的可靠性；载流子饱和漂移速度较高，可实现更快的电子迁移，有助于提升器件的工作频率和运行速度，满足高频应用场景的需求；同时还