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《半导体物理》课程考试试卷（A）
开课二级学院：，考试时间：年____月____日时
考试形式：闭卷√、开卷□，允许带计算器入场
考生姓名：学号：专业：班级：
题序
一
二
三
四
五
六
七
八
总分
得分
评卷人
一、选择题（每小题2分，共10分）
1、室温下一硫化镉样品的可动载流子密度为，迁移率为，则此样品的电导率是。
A．16B．17C．18D．19
2、一块长的硅片，横截面是，用于测量电子迁移率。已知掺杂浓度为，测得电阻值为，则其电子迁移率为。
A．1450B．550C．780D．1390
3、室温下，费米分布函数在处的值为
A．0B．0.5C．0.56D．1
4、对某块掺杂硅材料在整个温度范围内测量霍尔系数，结果均为，则该材料的导电类型为
A．N型B．P型C．本征D．不确定
5、一个零偏压下的PN结电容，每单位面积的耗尽层电容，硅的介电常数为，则耗尽层宽度是
A．B．C．D．
二、判断题（每小题2分，共10分）
1、载流子的扩散运动产生漂移电流。（）
2、简并化半导体的主要特点是掺杂浓度很低。（）
3、SiC是宽带隙的半导体材料。（）
4、弗仑克尔缺陷是指空位和间隙原子成对出现的缺陷。（）
5、对于窄禁带半导体材料，热电击穿是重要的击穿机制。（）
三、填空题（每空2分，共10分）
1、有效的陷阱中心能级在附近。
2、一定温度下，非简并半导体的热平衡载流子浓度的乘积=。
3、最初测出载流子有效质量的实验名称是。
4、金属半导体接触可分为两类，分别是和欧姆接触。
5、不含任何杂质和缺陷的理想半导体称为半导体。
四、名词解释（每小题4分，共8分）
1、耿氏效应
2、准费米能级
五、简答题（每小题8分，共16分）
1、解释什么是深能级杂质和浅能级杂质？硅中掺入的硼属于哪一种杂质？硅中掺入的金属于哪一种杂质，起什么作用？
2、简述费米分布函数和玻尔兹曼分布函数的区别。
六、计算：（共12分）假设在PN结的两侧有相同和均匀的掺杂，，计算单位面积的非补偿施主离子的数量。
七、计算：（共18分）已知：室温下，一块P型硅样品的电阻率为，电子迁移率为，空穴迁移率为，本征载流子浓度为。求：（1）电子和空穴的浓度；（2）用一束光照射样品，可产生电子-空穴对，求电阻率的最大改变量。
八、作图题（共16分）
1、（共8分）某热平衡状态下的PN结如图所示，灰色部分表示耗尽层宽度。
（1）请画出该PN结在热平衡状态下的能带图，标出、和。
（2）请画出该PN结在反向偏压下的能带图，标出、和，并在上图中画出反向偏压下PN结耗尽层宽度的改变。
2、（共8分）画出金属与N型半导体接触的平衡状态能带图：（1）；（2）。
常用的参数：
可能会用到的公式：
《半导体物理》课程
试卷（A）参考答案及评分标准
一、选择题（10分）
1、A；2、D；3、B；4、A；5、C
评分：每小题2分
二、判断题（10分）
1、×；2、×；3、√；4、√；5、√
评分：每小题2分
三、填空题（10分）
1、（或费米能级）
2、（或本征载流子浓度平方）
3、回旋共振实验
4、肖特基接触
5、本征
评分：每个空2分
四、名词解释（每小题4分，共8分）
1、在N型GaAs两端加上电压，当半导体内电场超过时，半导体内的电流以很高的频率振荡，频率约为，此效应称为耿氏效应。
评分：得分要点：N型，1分；GaAs，1分；电场值正确，1分，振荡频率，1分。
2、平衡态被破坏出现非平衡载流子，电子和空穴不再具有统一的费米能级，导带和价带的局部费米能级被称为准费米能级。准费米能级偏离平衡位置的大小直接反映了系统不平衡的程度。
评分：得分要点：非平衡载流子，1分；无统一的费米能级，1分；局部费米能级，1分；偏离程度，1分。
五、简答题（每小题8分，共16分）
1、答：（1）受主能级距离价带顶很远，施主能级距离导带底很远的杂质称为深能级杂质。（2分）（2）受主能级距离价带顶很近，施主能级距离导带底很近的杂质称为浅能级杂质。（2分）（3）硅中的硼属于浅能级杂质。（2分）（4）硅中的金属于深能级杂质。（2分）
2、答：（1）费米分布函数为。（2分）（2）玻尔兹曼分布函数为（电子）或（空穴）。（2分）（3）费米分布受泡利原理的限制，而玻尔兹曼分布没有。当时，玻尔兹曼分布近似等于费米分布。（2分）（4）一般情况下，计算能量比费米能级高以上的能态的占据几率，可以使用较为简单的玻尔兹曼分布。（2分）
评分：每小题8分，详细得分要点见上。
六、（12分）解：
（3分）
（3分）
（3分）
（3分）
评分：仅公式对给2分，无单位扣1分，结果计算错误扣1分，下标不规范可不扣分。
七、（18分）解：（1）P型硅，导电率为（2分）
（3分）
电子浓度为（3分）
（2）当有
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