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计算机组成原理主讲：颜俊华存储;存储子系统主要知识点：１．掌握;存储系统层次结构三级存储体系存;存储系统层次结构主存储器（内存;主存-外存层次：增大容量01C;半导体存储器静态存储器：利用双;存储器分类按存取方式分类随机存;存储器分类顺序存取存储器（SA;存储器分类直接存取存储器（DM;读取数据时CAM用所给数据同时;主存储器分类半导体存储器;有两种稳定状态；在外部信号的激;掩模型只读存储器MROM1可编;只读存储器2.可编程只读存;只读存储器EPROM：可擦除可;可在联机情况下，通过专用写入器;存取时间TA（MemoryA;存取宽度（W）:也称存取总线宽;存储器性能指标容量：指计算机存;主存储器的组成存储体时序控制电;半导体存储器结构地址寄存器地址;每个存储单元具有一个唯一的地址;存储体*单元地址00…0000;地址译码电路使能输入编码输出编;地址译码电路*n位二进制代码;地址译码电路2-4译码器Y0Y;地址译码结构译码器A5A4A3;有效时，可以对该芯片进行读写操;M的逻辑设计01动态M的刷新0;存储器与CPU的连接：数据线、;主存储器组织位扩展法——数据线;当芯片的容量和主存容量相同，而;例1：用8片8K*1的芯片组;例2：用4片1K*4的211;1当芯片字长与主存相同，而容量;例3：用Intel2114（1;字扩展法组成的4K*4的存储;例4：用16K×8位的芯片采用;字扩展法组成64K×8存储空间;主存储器组织主存储器逻辑设计;主存储器组织计算芯片数先扩展位;地址分配与片选逻辑芯片内的寻址;000……064KB;连接方式（1）扩展位数41K;已知RAM芯片和地址译码器的引;作业：设计一半导体存储器，其中;作业：用8K*8位的ROM芯片;主存储器组织动态M的刷新刷新定;最大刷新间隔：在此期间，必须对;对主存的访问CPU访存：由CP;主存储器组织刷新周期的安排方式;主存储器组织异步刷新2ms例.;主存储器校验码距的概念码距定义;主存储器校验奇偶校验有效信息位;01海明校验码检测依据：多重奇;主存储器校验循环冗余校验码约定;主存储器校验A左移r位（r=3;译码与纠错K=4（7，4）码n;01生成多项式02利用余数循环
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