多物理场视角下宽禁带器件与变换器参数性能协同优化研究.docx

多物理场视角下宽禁带器件与变换器参数性能协同优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

1.1.1宽禁带器件与变换器发展现状

宽禁带器件的发展是电力电子领域的重要变革。自20世纪中叶以来，半导体材料和器件技术不断演进，从最初的锗（Ge）器件，到后来占据主导地位的硅（Si）器件，再到如今的宽禁带半导体器件，每一次变革都推动了电力电子技术的飞跃。宽禁带半导体器件，如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等，因其独特的物理特性，成为近年来的研究热点和产业发展重点。

碳化硅（SiC）材料的研究始于20世纪50年代，早期主要面临材料生长和器件制造工艺的难题。随着技术的不断突破，到20世纪