湖南大学微电子电路期末考试题场效应.pptxVIP

湖南大学微电子电路期末考试题场效应.pptx

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场效应管符号及特征

场效应三极管特征曲线类型比较多,依据导电沟道不一样,以及是增强型还是耗尽型可有四种转移特征曲线和输出特征曲线,其电压和电流方向也有所不一样。假如按统一要求正方向,特征曲线就要画在不一样象限。

为了便于绘制,将P沟道管子正方向反过来设定(电流方向)。相关曲线绘于下列图之中。

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结型场效应管

N

P

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图各类场效应三极管特征曲线

绝缘栅场效应管

N

N

第3页

绝缘栅场效应管

P

P

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四种MOS管比较:

1.对于P沟道器件,VDD必为负值,衬底必须接在电路中最高电位上。对于N沟道器件,VDD必为正值,衬底必须接在电路中最低电位上。

2.就UGS而言,增强型器件是单极性,其中P沟道为负值,N沟道为正值,而耗尽型器件则可正可负。

3.N沟道器件,UGS向正值方向增大,ID越大;P沟道器件,UGS越向负值方向增大,ID越大。

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2.5.3场效应三极管参数和型号

一、直流参数

(1)开启电压UGS(th)(或UT)

开启电压是MOS增强型管参数,栅源电压小于开启电压绝对

值,场效应管不能导通。UDS一定,iD0。

(2)夹断电压UGS(off)(或UP)

夹断电压是结型和耗尽型FET参数,漏极电流约为零时UGS值。即当UGS=UGS(off)时,漏极电流为零(微小电流)。

(3)饱和漏极电流IDSS

耗尽型场效应三极管,当UGS=0时,产生预夹断时所对应漏极电流。

(4)直流输入电阻RGS(DC)

场效应三极管栅源输入电阻经典值,对于结型场效应三极管,

反偏时RGS约大于107Ω,对于绝缘栅型场效应三极管,RGS约是109~

1015Ω。

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二、交流参数

(1)低频跨导gm

低频跨导反应了栅压对漏极电流控制作用,即uGS对iD控制作用。

(3)输出电阻rd:

(2)极间电容:三个极间均存在电容。

gm能够在转移特征曲线上求取,单位是mS(毫西门子)。

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三、极限参数

(1)最大漏级电流IDM:

正常工作漏极电流上限值。

(2)击穿电压

最大漏源电压U(BR)DS

最大栅源电压U(BR)GS

(3)最大漏极功耗PDM

最大漏极功耗可由PDM=U(BR)DSIDM决定。

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2.5.4双极型和场效应型三极管比较

双极型三极管场效应三极管

结构NPN型结型耗尽型N沟道P沟道 PNP型绝缘栅增强型N沟道P沟道

绝缘栅耗尽型N沟道P沟道

C与E普通不可倒置使用D与S(有型号)可倒置使用

载流子多子扩散少子漂移多子漂移

输入量电流输入电压输入

控制电流控制电流源CCCS(β)电压控制电流源VCCS(gm)

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双极型三极管场效应三极管

噪声较大较小

温度特征受温度影响较大较小,可有零温度系数点

输入电阻几十到几千欧姆几兆欧姆以上

静电影响不受静电影响易受静电影响

集成工艺

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