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模拟电子技术三极管的结构与电流放大原理主讲人：陈志红
三极管的结构与符号结构在完整的半导体材料上通过渗杂分别形成发射区、基区和集电区基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极集电区：面积最大
三极管的结构与符号两种类型：NPN型和PNP型NNP基极发射极集电极NPN型BECBECPNP型PPN基极发射极集电极符号：BECIBIEICBECIBIEICNPN型三极管PNP型三极管结构
三极管的结构与符号三极管的分类按材料分按结构分按使用频率分按功率分硅管、锗管NPN、PNP高频管、低频管小功率管500mW中功率管500mW?1W大功率管1W
三极管的结构与符号三极管的分类常见三极管的外形3DG6NPN型高频小功率硅管3AX31PNP型低频大功率锗管NPN型低频小功率硅管3AX31PNP型低频小功率锗管
半导体三极管的电流分配关系三极管电流放大条件内部条件实际偏置电路IcIEIBRbUBEUCERcNNP发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低集电结面积大发射结正偏集电结反偏外部条件
半导体三极管的电流分配关系三极管的电流放大作用三极管各电极电流的实验数据基极电流IB/mA00.0100.0200.0400.0600.0800.100集电极电流IC/mA＜0.0010.4950.9951.9902.9903.9954.965发射极电流IE/mA＜0.0010.5051.0152.0303.0504.0755.065直流电流放大系数交流电流放大系数结论：三极管特点具有电流放大作用。即基极一个较小的电流变化，集电极有一个较大的电流变化。当IB=0（基极开路）时，集电极电流的值很小，此为三极管的穿透电流ICEO。其值越小越好。
课程小结三极管是放大电路的核心元件。目的：将输入的微小变化不失真地放大输出，放大的对象是变化量。三极管放大工作条件：（外部条件）发射结正偏，集电结反偏。即：内部条件＋外部条件（发射结正偏，集电结反偏）。三极管内部载流子的运动：①发射区向基区注入多子电子，形成发射极电流IE②电子到达基区后，少部分与空穴复合，形成IB③集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流IC
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