图像传感器应用技术 第4版 课件 2.1 电荷存储.ppt

第2章电荷耦合摄像器件的基本工作原理CCD的突出特点：以电荷为信号的载体。CCD的基本功能：电荷的存储和电荷的转移CCD的基本工作过程：信号电荷的产生、存储、转移和检测。CCD的两种基本类型：（1）表面沟道CCD（简称为SCCD）（2）体沟道或埋沟道器件（简称为BCCD）构成CCD的基本单元是如图2-1（a）所示的MOS（金属-氧化物-半导体）结构。当栅极施加正电压UG小于等于p型半导体的阈值电压Uth时，p型半导体中的空穴将被排斥，并在半导体中产生如图2-1（b）所示耗尽区。UG继续增加，耗尽区将继续向半导体体内延伸，如图2-1（c）所示。图2-1CCD栅极电压变化对耗尽区的影响2.1电荷存储无外电场作用下电子均匀分布外电场作用开始显现外电场作用形成深势阱将半导体与绝缘体界面上的电势记为表面势Φs，Φs将随栅极电压UG的增加而增加，他们的关系曲线如图2-2所示。图2-2表面势Φs与栅极电压UG的关系图2-2描述了在掺杂为1021cm-3，氧化层厚度为0.1μm、0.3μm、0.4μm和0.6μm情况下，不存在反型层电荷时，表面势Φs与栅极电压UG的关系曲线。图2-3为UG不变的情况下，表面势Φs与反型层电荷密度Qinv之间的关系。可见，Φs随Qinv的增加而线性减小。不考虑反型层电荷影响反型层电荷对表面势的影响据图2-2与图2-3的关系曲线，可以用“势阱”概念来描述。在没有反型层电荷时，势阱的“深度”UG的关系恰如Φs与UG的关系，如图2-4（a）空势阱的情况。图2-4（b）为反型层电荷填充1/3势阱时表面势收缩的情况。图2-4（c）当反型层电荷继续增加，表面势Φs将逐渐减少，反型层电荷足够多时，表面势Φs减少到最低值2ΦF。此时，电子将产生“溢出”现象。图2-4势阱（a）空势阱（b）填充1/3的势阱（c）全满势阱Q=COXUG2.2电荷耦合2.3CCD的电极结构CCD电极的基本结构应包括转移电极结构、转移沟道结构、信号输入单元结构和信号检测单元结构。1、三相CCD的电极结构（1）三相单层铝电极结构图2-6采用“阴影腐蚀技术”的三相器件（a）第一层金属腐蚀后（b）第二层金属腐蚀后图2-6所示的是三相单层金属电极结构。它的特点是工艺简单且存储密度较高。（2）三相电阻海结构为解决成品率较低和电极间隙的裸露问题，引入了一种简单的硅栅结构。在氧化层上沉积一层高阻多晶硅，再对电极区域进行选择掺杂，形成如图2-7所示的低阻区（转移电极）被高阻区间隔的电阻海结构。图2-7三相CCD电阻海结构（3）三相交叠硅栅结构图2-8所示为三层多晶硅交叠栅结构示意图。图2-8三层多晶硅三相交叠结构栅在单晶硅片上生长栅氧，接着淀积氧化硅和一层多晶硅，然后在多晶硅层刻出第一组电极。用热氧化在电极表面形成一层氧化物，以便与接着淀积的第二层多晶硅绝缘。第二层用同样方法刻出第二组电极后进行氧化。重复上述工艺步骤，以形成第三层电极。2、二相CCD（1）二相硅-铝交叠栅结构图2-9所示的是二相硅-铝交叠栅结构。图2-9二相硅-铝交叠结构栅在这些电击伤热生长绝缘氧化物的过程中，没有被多晶硅覆盖的栅养区厚度也将增加。该结构的第一层电极采用低阻多晶硅。(2)阶梯状氧化物结构可用一次金属化过程形成不对称势阱，制成二相CCD电极结构。如图2-10所示的两种工艺都可以制成二相结构。图2-10具有阶梯氧化物的二相结构栅（a）第1种工艺结构（b）第2种工艺结构（3）注入势垒二相结构采用离子注入技术可以在电极下面不对称位置上设置注入势垒区，如图2-11所示。图2-11注入势阱二相结构与上述阶梯状氧化物结构相比，离子注入技术容易制成较高的电势台阶，而且如果注入的离子就集中在界面附近，势垒高度受电极电势的影响比较小。3、四相CCD图2-12是三种四相CCD电极结构。图2-12(a)的结构是在两层金属(例如铝)制作的电极中间淀积100nm厚的二氧化硅（SiO2）做绝缘。图2-12(b)所示的结构与多晶硅-铝交叠栅的结构相类似，只是现在各电极下的绝缘层厚度是一样的，各电极的面积都相同。图2-12(c)所示的是采用两层多晶硅电极结构，采用两层铝电极的结构可以用阳极氧化方法获得SiO2绝缘层。图2-12四相CCD电极结构（a）两层金属中间淀积物（b）多晶硅-金属交叠栅结构（c）两层铝电极用氧化铝绝缘图2-13所示为四相器件在转移过程中某一时刻的表面势分布。四相器件的操作方式与三相、二相器件相比，较为适应很高的时钟频率(例如100MHZ)，波形接近正弦波的驱动脉冲。电荷在转移过