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第三章

微波晶体管放大器

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发射模块

PA

IF

T

AGC×5×4

PLL1

fs

频率源

PLOPLL2双

×5×2工fT

LNA

二中频

（IFS）一中频

接收模块

2

主要内容

•微波双极结型晶体管（BJT）

•微波场效应晶体管（FET）

•微波晶体管放大器的特性

•小信号微波晶体管放大器的设计

•微波晶体管功率放大器特性

•用小信号S参数设计微波晶体管功率放大器

3

§3.1引言

•结型晶体管：双极结型晶体管和异质结双极型晶体

管；

结构形式：NPN或PNP型。

制备材料：硅、硅-锗、砷化镓、铟磷、石墨烯（高

电子迁移率、良导热性、低噪声）。

发展历史：

1947.12.16:威廉·邵克

雷（WilliamShockley）、

约翰·巴顿（John

Bardeen）沃特·布拉顿

（WalterBrattain）在贝

尔实验室制造出第一个点

接触晶体管。

4

§3.1引言

•20世纪50年代，锗材料，性能/可靠性受限，基本没有实用

器件进入微波领域。

•20世纪60年代初，硅材料，平面工艺的出现，工作频率进入

微波领域。

•硅结型晶体管用作放大器，频率范围可达2~10GHz，而用在

振荡器中时频率高达20GHz。

•使用SiGe的结型晶体管可用于20GHz或更高工作频率。

•异质结双极型晶体管（HBT）使用GaAs或InP材料，能在超过

100GHz的频率工作。

f=8MHz

T

5

§3.1引言

场效应晶体管（FET）可有多种类型：

金属半导体场效应晶体管（MESFET）

高电子迁移率晶体管（HEMT）

赝晶型高电子迁移率晶体管（PHEMT）

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）

金属绝缘物半导体场效应晶体管（MISFET）

双层石墨烯

场效应管

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